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镀膜源、真空镀膜装置及其镀膜工艺

摘要

本发明提供一种能对大面积基板进行均匀蒸镀的镀膜源及其真空镀膜装置。镀膜源,具有容器部和加热装置,还具有:蒸发气流调节部,为多孔层状结构,用于控制蒸发气流的方向和分布;蒸镀顶板,所述蒸镀顶板上设置有均匀分布的喷射口,用于喷射蒸发气流。本发明通过多孔多层结构的蒸发气流调节部,最大限度地扩大了蒸镀顶板的蒸镀面积,使材料尽可能均匀地沉积在基板表面,从而达到大面积高均匀性蒸镀的效果。当本发明对OLED进行有机材料真空镀膜时,特别是针对较大面积基板进行镀膜时,能够获得良好的图案精度和膜厚均匀的镀膜层,以确保OLED均匀的发光性能和色彩平衡。

著录项

  • 公开/公告号CN101988185A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-03-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201010587010.1

  • 发明设计人 李金川;李崇;田朝勇;

    申请日2010-12-14

  • 分类号C23C14/26(20060101);

  • 代理机构成都虹桥专利事务所;

  • 代理人蒲敏

  • 地址 214000 江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区长江路34号地块科技创业园一区400室

  • 入库时间 2023-12-18 01:52:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-10-16

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C14/26 申请公布日:20110323 申请日:20101214

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2011-05-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/26 申请日:20101214

    实质审查的生效

  • 2011-03-23

    公开

    公开

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