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在降低的加工温度下由银纳米颗粒形成高导电部件的新方法

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摘要

示例性实施方案提供了用于在不大于约140℃的低加工温度下形成高导电部件的材料和方法，所述部件包括被稳定的含银纳米颗粒。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-06-17

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01B5/14 申请公布日:20110330 申请日:20100813

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-09-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01B5/14 申请日:20100813

实质审查的生效
2011-03-30

公开

公开

1. 在降低的加工温度下由银纳米颗粒形成高导电部件的新方法 [P] . 中国专利： CN101996699A . 2011-03-30
2. 银纳米颗粒组合物和在基质上形成导电性零件的方法 [P] . 中国专利： CN101851444A . 2010-10-06
3. NEW PROCESS TO FORM HIGHLY CONDUCTIVE FEATURE FROM SILVER NANOPARTICLES WITH REDUCED PROCESSING TEMPERATURE [P] . CA2712306C . 2015-06-02

机译：降低加工温度的银纳米颗粒形成高导电特性的新方法
4. NEW PROCESS TO FORM HIGHLY CONDUCTIVE FEATURE FROM SILVER NANOPARTICLES WITH REDUCED PROCESSING TEMPERATURE [P] . CA2712306A1 . 2011-02-14

机译：降低加工温度的银纳米颗粒形成高导电特性的新方法
5. NEW PROCESS TO FORM HIGHLY CONDUCTIVE FEATURE FROM SILVER NANOPARTICLES WITH REDUCED PROCESSING TEMPERATURE [P] . 美国专利： US2011039096A1 . 2011-02-17

机译：降低加工温度的银纳米颗粒形成高导电特性的新方法