使用光滑无聚集的铜种层进行凹入特征的无空隙填充

摘要

本发明提供一种用于控制衬底上铜聚集和用于形成集成电路中凹入特征的无空隙块状金属铜填充的方法。在一个实施例中，该方法包括：提供具有图案的衬底，而该图案包括上表面和至少一个凹入特征，而该凹入特征至少包括侧壁表面和下表面；在该衬底图案上沉积屏蔽膜；并且在该屏蔽膜上沉积含金属润湿膜。该方法还包括通过物理气象沉积法在该含金属润湿膜上沉积金属铜，其中衬底温度足够高，由此在该含金属润湿膜上形成光滑金属铜种层。可在至少一个凹入特征中电镀无空隙块状金属铜。