高级CMOS器件的接触电阻减小的方法

摘要

所揭示的为一种用以降低半导体器件的接触电阻的方法。在一实施方式中，该方法包括提供一具有半导体器件形成于其上的基板，其中该器件具有多个源极和漏极区域以及一栅极结构；通过热退火处理在该基板上实施一硅化处理；及在该硅化处理之后，在该基板上实施一激光退火处理。在另一实施方式中，该方法包括提供一具有注入的掺杂剂的基板；通过一热退火处理而在该基板上实施一硅化处理；及通过激光退火处理来活化该掺杂剂。