法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-02-04
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/8249 授权公告日:20101117 终止日期:20131211 申请日:20081211
专利权的终止
2011-08-17
专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L21/8249 合同备案号:2011440020244 让与人:电子科技大学 受让人:深圳市锐骏半导体有限公司 发明名称:一种两次刻蚀单层多晶硅的高功率BCD工艺 公开日:20090513 授权公告日:20101117 许可种类:独占许可 备案日期:20110623 申请日:20081211
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
2010-11-17
授权
授权
2009-07-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-05-13
公开
公开
机译: 通过单多晶硅工艺形成高薄层电阻和高电容电容器
机译: 通过单多晶硅工艺形成高薄层电阻和高电容电容器
机译: 通过单多晶硅工艺形成高薄层电阻和高电容电容器