含有纳米粘土的聚合物组合物，包含该组合物的制品、制造组合物的方法和包含组合物的系统

摘要

一种组合物包含双马来酰亚胺三嗪(BT)化合物和与双马来酰亚胺三嗪复合的纳米粘土。一种装配基板包含聚合物和与其复合的纳米粘土以形成该装配基板的核心。方法包括熔体混合聚合物，如BT，与纳米粘土并且形成核心。方法包括溶解单体，如BT，与纳米粘土并且形成核心。系统包括分散在聚合物基质中的纳米粘土，和安装在包括分散在聚合物基质中的纳米粘土的装配基板上的微电子器件。

说明书

相关申请

本专利申请要求在2006年3月31日提交的美国申请No.11/395, 728的优先权，该申请在此通过引用的方式并入本文。

技术领域

实施方案一般地涉及板-级结构(board-level structures)和在其上器 件的集成。

背景技术

由于安全原因，将阻燃剂用于微电子工业。装配基板(mounting substrate)，除了主板、扩充插件板等等外，已经将溴化物基的或磷 基的化合物用于芯材中作为阻燃剂。来自政府的消除卤化物的政令已 经引起在其他地方在现有材料中和新化合物中对阻燃性质的寻找。

附图说明

为了描述达到实施方案的方式，通过参考在附图中举例说明的示 例性实施方案将对上面简要描述的实施方案进行更具体的描述。应当 理解的是，这些附图仅仅描述了典型的实施方案，这些典型的实施方 案不必要按比例进行描绘并且不因此被认为限制它的范围，这些实施 方案将通过使用附图更专业性和更详细得到描述和解释，其中：

图1是根据一实施方案的装配基板的横截面正视图

图2是根据一实施方案取自于图1的局部细节图；

图3是根据一实施方案取自图1的局部细节图；

图4是根据一实施方案取自图1的局部细节图；

图5是根据一实施方案取自图1的局部细节图；

图6是描述工艺和方法流程实施方案的工艺流程图；

图7是描述工艺和方法流程实施方案的工艺流程图；

图8是根据一实施方案描绘计算机系统的剖开正视图(cut-away elevation)；和

图9是根据一实施方案的电子系统的示意图。

详细说明

实施方案涉及包括分散在聚合物基质(matrix)中的纳米粘土颗 粒的组合物。在一实施方案中，聚合物基质包括双马来酰亚胺三嗪(BT) 基料。

以下描述包括术语，如上、下、第一、第二等等，它们仅仅用于 描述性目的并且不应该被认为是限制性的。在本文中描述的装置或制 品的实施方案可以在很多位置和取向上进行制造、使用或运载。术语 “裸片(die)”和“芯片(chip)”通常是指为基础工件的物理物体，其 通过各种工艺操作被转化为需要的集成电路器件。裸片通常从晶片进 行单一化(singulated)，并且这些晶片可以由半导的、非半导的、或 半导和非半导材料的组合制成。板一般地是树脂浸渍的玻璃纤维结 构，其作为用于该裸片的装配基板。

在本公开内容中每当使用这些术语时，这些术语阐述可以具有以 下含义：

“粘土材料”“层状粘土”或“层状粘土材料”表示任何有机或无机材 料或其混合物，其呈多个相邻的、结合层的形式。层状粘土包括片状 颗粒。

“片状颗粒”“片状体”“颗粒”或“共面群集的”表示个体的或聚集的 层状粘土材料的非结合层。这些层可以呈个体片状颗粒形式，片状颗 粒的有序的或无序的小聚集体(亦称为类晶团聚体)和类晶团聚体的聚 集体。

“分散体”或“分散的”是常用术语，其指片状颗粒的各种分离水平 或程度。分散水平包括但是不局限于“片状颗粒”、“插入的”和“剥离 的”。

“插入的(intercalated)”或“插入体”意思是指层状粘土材料，它 包括被布置在聚集层的相邻片状颗粒或类晶团聚体之间的结构，这种 结构增加了相邻的片状体和/或类晶团聚体之间的层间距。在本公开内 容中，插入结构可以是有机阳离子并且还可以是基质聚合物。

“剥离体”或“剥离的”表示主要以个体状态分散在整个载体材料 (如，基质聚合物)中的片状体。一般地，“剥离的”用来表示片状颗粒 的最高分离程度，而“插入的”表示片状体的中间分离程度，并且“共面 的群集体”表示最低的分离程度。因为片状体的分离程度基本上是在 剥离的和共面的群集的之间连续分布，分离程度将被赋值用于透明度 的数值范围，但是公开的实施方案的范围可以是比其所阐述的范围 宽。

“剥离(exfoliation)”表示用于从被插入的或者其他更不分散的分 离状态形成剥离体的方法。

“纳米复合物”或“纳米复合组合物”表示具有被分散在其中的多个 纳米尺寸的单个片状体的聚合物或共聚物，该单个片状体从剥离的、 层状的纳米粘土材料获得的。

“基质聚合物”表示热塑性的或可熔体加工的聚合物，在其中该片 状颗粒被分散以形成纳米复合物。然而，在本公开内容中，片状颗粒 在基质聚合物中可以是“共面群集的”、“插入的”或“剥离的”以形成纳 米复合物。

现将参考附图，其中相似的结构将具有相似的下标参考名称。为 了最清楚地显示各种实施方案的结构，在本文中包括的附图是集成电 路结构的图解表示。因此，该加工结构(例如，在显微照片中)的实际 外观可以呈现出差异而仍然包括这些举例说明的实施方案的必需结 构。而且，附图显示了为理解这些举例说明的实施方案所必需的结构。 在本领域中已知的附加结构没有被包括以保持附图的清晰度。

图1是根据一实施方案的装配基板100的横截面正视图。该装配 基板100包括具有第一面112和第二面114的芯110。在一实施方案 中，芯110包括聚合物基料，其包含具有约99％能通过50纳米(nm) 的粒度的第一粘土片状体。在一实施方案中，芯110是双马来酰亚胺 三嗪(BT)聚合物基料，其包含具有约99％能通过50纳米的粒度的第 一粘土片状体。“第一粘土片状体”表示第一类型的粘土片状体，除非 另作说明。

在一实施方案中，制品包括芯110和被布置在芯110的第一面112 上的第一金属箔116。在一实施方案中，第一金属箔116包含铜并且 典型地是可被用于板中以制造迹线(traces)及其他电学结构的铜。根据 一实施方案，阻焊剂(solder mask)第一膜118被布置在第一金属箔116 上。

在一实施方案中，该装配基板100是板，如主板、扩充插件板、 夹层(mezzanine)板、双列直插式装配模块板或装配基板。在使用该 装配基板100作为微电子器件用的装配基板期间，该阻焊剂第一膜118 包括凹进部分120，其暴露出第一金属箔116的上表面122。在一实 施方案中，第一金属箔116的上表面122是用于引线键合的键合点。 在一实施方案中，第一金属箔116的上表面122是用于电突点 (electrical bump)的键合点。

在一实施方案中，第一金属箔116的上表面122包括金属(如，金) 的闪光层(flash layer)。在一实施方案中，第一金属箔116的上表面122 包括金属(如，钛)的闪光层。在一实施方案中，第一金属箔116的上 表面122包括金属(如，金和银的金银合金)的闪光层。

在一实施方案中，制品包括芯110和被布置在芯110的第二面114 上的第二金属箔124。在一实施方案中，第二金属箔124包含铜并且 典型地是可被用于板中以制造迹线及其他电学结构的铜。根据一实施 方案，阻焊剂第二膜126被布置在第二金属箔124上。

在一实施方案中，该装配基板100是板，如，双列直插式存储模 块(DIMM)或其他装配基板，该板对第一金属箔116和第二金属箔124 两者都具有可及性。在该装配基板100作为用于微电子器件的板使用 期间，阻焊剂第二膜126包括凹进部分128，其暴露出第二金属箔124 的下表面130。在一实施方案中，第二金属箔124的下表面130是用 于引线键合的键合点。在一实施方案中，第一金属箔124的下表面130 是用于电突点的键合点。在一实施方案中，闪光层还被布置在下表面 130上，如在本文中对上表面122的任何实施方案所阐述的那样。

图2是根据一实施方案取自图1的局部200。在图1中的剖线2-2 显示了来自图1中的装配基板100的近似区域。为了说明性目的，局 部200被大大地简化。

装配基板200包括芯210。在一实施方案中，芯210包括聚合物 基料，其包含具有约99％通过50纳米(nm)的粒度的第一粘土片状体 234。在一实施方案中，芯210是BT聚合物基料，其包含具有约99％ 通过50纳米的粒度的第一粘土片状体234。

在一实施方案中，装配基板200是包括芯210和被布置在芯210 上的第一金属箔216的制品。在一实施方案中，第一金属箔216包含 铜。根据一实施方案，阻焊剂第一膜218被布置在第一金属箔216上。

在一实施方案中，装配基板200是制品，其还包括被布置在芯210 上的第二金属箔224。在一实施方案中，第二金属箔224包含铜并且 典型地是可被用于板中以制造迹线及其他电学结构的铜。根据一实施 方案，阻焊剂第二膜226被布置在第二金属箔224上。

在一实施方案中，提供了单体或低聚物，其被描绘成点状物(dots) 的群集体，它们中的一个用附图标记232进行标注。与该单体或低聚 物一起，第一粘土片状234被描绘成基本上共面的群集体。“基本上 共面的群集体”应当理解为显著部分的第一粘土片状体234(存在于装 配基板200中)直接与另一个第一粘土片状体或多个第一粘土片状体 相邻。在图2中，基本上共面的群集体被描绘为四个布置在单体或低 聚物的较大基质中的粘土片状体234。

在一实施方案中，第一粘土片状体234的基本上共面的群集体的 尺寸范围为约99％通过50nm。在一实施方案中，第一粘土片状体234 的基本上共面的群集体以约1％-约15％的重量范围存在于芯210中。 在一实施方案中，第一粘土片状体234的基本上共面的群集体的尺寸 范围为约99％通过50nm和重量范围为约1％-约15％。

在一方法实施方案中，单体或低聚物首先与第一粘土片状体234 熔融共混，随后通过固化该配混物(compound)以形成如用图解说明 的芯210。在这个实施方案中，不完成该单体或低聚物的完全固化。 在这个实施方案中，单体或低聚物被交联和/或被固化完成至约30％- 约99％已聚合。在一实施方案中，该单体或低聚物被交联和/或被固化 完成至约50％-约90％已聚合。在一实施方案中，该单体或低聚物被 交联和/或被固化完成至约70％-约80％已聚合。

在一方法实施方案中，芯210被固化至给定的聚合度，并且作为 聚合物膜还被形成在金属箔上，如第一金属箔216。根据一实施方案， 在第一金属箔216上形成上述聚合物膜的方法(以变成芯210)包括在 B-阶段的聚合物-粘土片状体配混物上铺设第一金属箔216。在一实施 方案中，在第一金属箔216上形成聚合物膜的方法包括使部分固化的 聚合物-粘土片状体配混物在第一金属箔216上流过，然后进一步固化 该配混物。当与在此本公开内容所阐述的相结合时，其他方法如在本 领域中已知的那样可以用来使板与金属箔和阻焊剂层压。

在一方法实施方案中，单体或低聚物首先与溶剂混合，并且与第 一粘土片状体234共混，然后使溶剂从溶液中逸出。在溶剂被显著地 除去之后，进行该单体或低聚物的固化。在这个实施方案中，不完成 该单体或低聚物的完全固化。在这个实施方案中，单体或低聚物被交 联和/或被固化完成至约30％已聚合-约99％已聚合。在一个实施方案 中，单体或低聚物被交联和/或被固化完成至约50％已聚合-约90％已 聚合。在一个实施方案中，单体或低聚物被交联和/或被固化完成至约 70％已聚合-约80％已聚合。

图3是根据一实施方案取自图1的局部300。在图1中的剖线2-2 显示了来自图1中装配基板100的近似区域。为了说明例证性的目的， 该局部300被大大地简化。

装配基板300包括芯310。在一实施方案中，芯310包括聚合物 基料，其包含具有约99％通过50纳米(nm)的粒度的第一粘土片状体 334。在一实施方案中，芯310是BT聚合物基料，其包含具有约99％ 通过50纳米的粒度的第一粘土片状体334。

在一实施方案中，装配基板300是包括芯310和被布置在芯310 上的第一金属箔316的制品。在一实施方案中，第一金属箔316包含 铜。根据一实施方案，阻焊剂第一膜318被布置在第一金属箔316上。

在一实施方案中，装配基板300是制品，其还包括被布置在芯310 上的第二金属箔324。在一实施方案中，第二金属箔324包含铜并且 典型地是可被用于板中以制造迹线及其他电学结构的铜。根据一实施 方案，阻焊剂第二膜326被布置在第二金属箔324上。

在一实施方案中，提供了单体或低聚物，其被描绘成连接的、固 化的或交联的聚合物，它们中的一个用附图标记332进行标注。与该 连接的、固化的或交联的聚合物332一起，第一粘土片状体334被描 绘成基本上共面的群集体。在图3中，这些基本上共面的群集体被描 绘成被布置在该连接的、固化的或交联的聚合物332的较大基质中的 四个粘土片状体334。

在一实施方案中，第一粘土片状体334的基本上共面的群集体的 尺寸范围为约99％通过50nm。在一实施方案中，第一粘土片状体334 的基本上共面的群集体以约1％-约15％的重量范围存在于芯310中。 在一实施方案中，第一粘土片状体334的基本上共面的群集体的尺寸 范围为约99％通过50nm和重量范围为约1％-约15％。

图4是根据一实施方案取自图1的局部400。在图1中的剖线2-2 显示了来自图1中的装配基板的近似区域。为了说明性目的，局部400 被大大地简化。

装配基板400包括芯410。在一实施方案中，芯410包括聚合物 基料，其包含具有约99％通过50纳米(nm)的粒度的第一粘土片状体 434。在一实施方案中，芯410是BT聚合物基料，其包含具有约99％ 通过50纳米的粒度的第一粘土片状体434。

在一实施方案中，装配基板400是包括芯410和被布置在芯410 上的第一金属箔416的制品。在一实施方案中，第一金属箔416包含 铜。根据一实施方案，阻焊剂第一膜418被布置在第一金属箔416上。

在一实施方案中，装配基板400是制品，其还包括被布置在芯410 上的第二金属箔424。在一实施方案中，第二金属箔424包含铜并且 典型地是可被用于板中以制造迹线及其他电学结构的铜。根据一实施 方案，阻焊剂第二膜426被布置在第二金属箔424上。

在一实施方案中，提供了单体或低聚物，其被描绘成连接的、固 化的或交联的聚合物，它们中的一个用附图标记432进行标注。与该 连接的、固化的或交联的聚合物432一起，第一粘土片状体434被描 绘为基本上共面的群集体。“基本上插入的群集体”应当被理解为存在 于装配基板400中的显著部分的第一粘土片状体434直接与另一个第 一粘土片状体或多个第一粘土片状体相邻，但是这些群集体已经被插 入了连接的、固化的或交联的聚合物432。在图4中，这些基本上被 插入的群集体被描绘成布置在连接的、固化的或交联的聚合物的较大 基质中的四个粘土片状体434。

在一实施方案中，所述聚合物基料是BT。在一实施方案中，纳 米粘土片状体434在阻燃性质方面受到氢氧化物部分(如，氢氧化铝， Al(OH)₃)的协助。在一实施方案中，如果纳米粘土的量可以单独以约 1％-约15％存在，则当Al(OH)₃部分以约5％的量存在时，最大量的纳 米粘土片状体434以约12％的量存在。

在一实施方案中，第一粘土片状体434的基本上插入的群集体的 尺寸范围(个体片状434)为约99％通过50nm。在一实施方案中，第一 粘土片状体434的基本上插入的群集体以约1％-约15％的重量范围存 在于芯410中。在一实施方案中，第一粘土片状体434的基本上插入 的群集体的尺寸范围为约99％通过50nm和重量范围为约1％-约15％。

图5是根据一实施方案取自图1的局部500。在图1中的剖线2-2 显示了来自图1中的装配基板100的近似区域。为了说明性目的，局 部500被大大地简化。

装配基板包括芯510。在一实施方案中，芯510包括聚合物基料， 该基料包含具有约99％通过50纳米(nm)的粒度的第一粘土片状体 534。在一实施方案中，芯510是BT聚合物基料，其包含具有约99％ 通过50nm的粒度的第一粘土片状体534。

在一实施方案中，装配基板为制品的一部分，该制品包括芯510 和布置在芯510上的第一金属箔516。在一实施方案中，第一金属箔 516包含铜。根据一实施方案，阻焊剂第一膜518被布置在第一金属 箔516上。

在一实施方案中，装配基板是制品的一部分，该制品还包括被布 置在芯510上的第二金属箔524。在一实施方案中，第二金属箔524 包含铜并且典型地是可被用于板中以制造迹线及其他电学结构的铜。 根据一实施方案，阻焊剂第二膜526被布置在第二金属箔524上。

在一实施方案中，提供了单体或低聚物，其被描绘成连接的、固 化的或交联的聚合物，它们中的一个用附图标记532进行标注。与连 接的、固化的或交联的聚合物532一起，第一粘土片状体534被描绘 为基本上剥离的构造(configuration)。“基本上剥离的构造”应当被理 解为存在于装配基板500中的第一粘土片状体534与大多数或所有相 邻的第一粘土片状体或所有相邻的第一粘土片状体中的多个相分离 开来，并且这些片状体被连接的、固化的或交联的聚合物532分离开 来。在图5中，这些片状体的基本上剥离的构造被描绘成分离的粘土 片状体534，它们被布置在连接的、固化的或交联的聚合物的较大基 质中。

在一实施方案中，第一粘土片状体534的基本上剥离的构造的尺 寸范围为约99％通过50nm。在一实施方案中，第一粘土片状体534 的基本上剥离的构造以约1％-约15％的重量范围存在于芯510中。在 一实施方案中，第一粘土片状体534的片状体的基本上剥离的构造的 尺寸范围为约99％通过50nm和重量范围为约1％-约15％。

该纳米粘土片状体的纵横比根据特定应用进行选择。在一实施方 案中，通过使用分散的具有高纵横比(约1:1-约200:1)的纳米片状体可 以将纳米粘土剥离到基质中。获得的纳米粘土复合材料具有改善的高 加速应力试验(＂HAST＂)性能，并且减缓了挥发性的组分的释放速率以 获得降低的芯材的泵出(pump-out)、渗出(bleed-out)和干透(dry-out)。 纳米粘土颗粒还改善了芯的热氧化稳定性以获得改善的焙烤和热循 环(“TC”)性能。

在芯材中加入纳米粘土片状体颗粒产生了具有提高的可靠性和 性能的半导体或微电子的包装。该提高的可靠性和性能由降低的泵 出、降低的干透和改善的热界面材料的热氧化稳定性产生。泵出、干 透和热氧化稳定性由扩散过程控制。聚合物-纳米粘土复合物具体实施 物(embodiments)可以通过多种方法进行混合。

本公开内容可以使用多种基质有机物进行实践。在一实施方案 中，该基质有机物是BT。除了BT聚合物，还可以加入其他有机物。 在一实施方案中，BT以主要量存在并且用少量存在的第二聚合物等 等进行补足。在一实施方案中，烯烃树脂作为次于BT聚合物第一有 机物的聚合物第二有机物存在。在一实施方案中，烯烃树脂是聚乙烯、 聚丙烯、聚苯乙烯、石蜡、不饱和烯烃橡胶(如聚丁二烯或聚异戊二烯)、 饱和橡胶(如乙烯-丙烯、乙烯-丙烯-二烯单体(EPDM)、氢化聚异戊二 烯)等等中的至少一种。在一实施方案中，还可以加入聚酰亚胺芯材作 为独立存在的芯基质或作为芯基质的组分。

在一实施方案中，聚合物-纳米粘土配混物包括大于约50W/mK 的导热性。有用的填料的实例包括陶瓷，如氧化铝、氮化硼、氮化铝 等等；金属，如铝、铜、银等等；和焊料，如铟、锡、锡-铟、银、锡 -银、锡-铟-银等等。典型地，根据在特定应用中要求的几个因素(包括 希望的整体导热性和特定纳米粘土片状体的选择)，热传导填料的量为 约10％-约90％。

在一实施方案中，使用超过一种品质(quality)的纳米粘土片状体。 有用的纳米粘土材料包括天然的、合成的和改性的层状硅酸盐。天然 粘土包括蒙脱石粘土，如蒙脱石、皂石、锂蒙脱石、云母、蛭石、膨 润土、绿脱石、贝得石、铬岭石、magadite、水羟硅钠石等等。合成 粘土包括合成云母、合成皂石、合成锂蒙脱石等等。

在一实施方案中，纳米粘土以至少两种不同纳米粘土存在。例如， 纳米粘土包括第一量的锂蒙脱石和第二量的montmorollonite，该第二 量小于第一量。

在一实施方案中，纳米粘土基本上是没有卤素的。“基本上没有卤 素”表示没有卤素用在原材料和/或用于制备纳米粘土和聚合物基料的 供应料中，这样除了可检测到的杂质外，卤素在普通的分析技术下没 有被检测到。

在一实施方案中，插入的层状粘土材料通过可膨胀的层状粘土与 一种或多种有机阳离子(优选铵化合物)的反应以引起部分的或完全的 阳离子交换而进行制备。可以使用多种用有机阳离子改性层状粘土的 方法，并且这些方法中的任何一种可以用于该实践实施方案中。一个 实施方案是用有机阳离子盐(非卤化物)通过以下方法进行层状纳米粘 土的有机改性，该方法为：将层状粘土或粘土的混合物分散到热水 (50-80℃)中，在搅拌下加入有机阳离子盐(加热或溶于水或醇中)，然 后共混有机阳离子达足够长的时间以使有机阳离子交换来存在于一 种或多种粘土材料的层之间的通道中的大多数金属阳离子。然后，该 一种或多种有机改性的层状粘土材料通过在本领域已知的方法(包括 过滤、离心、喷雾干燥、和它们的组合)被分离。

在一实施方案中，为了帮助在复合物中的剥离和/或改善聚合物/ 粘土界面的强度，纳米粘土被进一步处理。可以使用任何达到上述目 标的处理。有用的处理的实例包括用水溶性的或不溶于水的聚合物、 有机试剂或单体、硅烷化合物、金属或有机金属化合物和/或它们的组 合的插入。

在一实施方案中，纳米粘土被分散在聚合物基质中，这样大多数 纳米粘土材料以尺寸小于约20nm的个体片状颗粒(剥离的)、小的类 晶团聚体(插入的)和类晶团聚体的小聚集体(片状群集体)存在。还可以 使用具有较高浓度的个体片状颗粒和较少的类晶团聚体或聚集体的 组合物。

图6是描述工艺和方法流程实施方案的工艺流程图600。在610， 方法包括熔融共混聚合物和纳米粘土以形成配混物(compound)。在 这个实施方案中，配混物包括纳米粘土，其是在聚合物基质中共面的 群集体、插入的或剥离的。纳米粘土片状体的分离程度可以在熔融共 混期间通过熔融-共混装置的机械剪切被扩大。因此，熔融共混可以被 延长以获得例如在聚合物基质中基本上被剥离的纳米粘土片状体。

在620，方法包括将配混物施用在金属箔上以形成装配基板。装 配基板的几个实施方案被描绘在本公开内容中(包括支持正文的图 2-5)。在一实施方案中，方法在610开始和在620结束。

在630，方法包括将微电子器件安装到装配基板上。对安装到装 配基板上的微电子器件的说明被描绘在图8中。在一实施方案中，方 法在610开始和在630结束。

在640，该方法从610进行到(flow)固化该聚合物以形成芯。装配 基板的几个实施方案被描绘在本公开内容中(包括支持正文的图1-5)。 在一实施方案中，方法在610开始和640结束。在一实施方案中，方 法在610开始，进行到620并且在640结束。

在642，方法包括将芯施用在金属箔上以形成装配基板。在一实 施方案中，方法在610开始和在640结束。在一实施方案中，方法在 610开始，进行到640和642，并且在630结束。

图7是工艺流程图700，其描述了工艺和方法流程实施方案。在 710，方法包括溶解单体或低聚物或它们两者以形成溶剂-纳米粘土分 散体。溶解有机物等等以形成溶液的方法可以包括通过混合装置的机 械剪切达到纳米粘土片状体的分离程度。

在720，方法包括蒸发溶剂以形成单体(或低聚物等等)纳米粘土配 混物。在一实施方案中，方法在710开始和在720结束。

在730，方法包括将配混物施用在金属箔上以形成装配基板。装 配基板的几个实施方案被描绘在本公开内容中(包括支持正文的图 2-5)。在一实施方案中，方法在710开始和在730结束。

在740，方法包括将微电子器件安装到装配基板上。安装到装配 基板的微电子器件的说明被描绘在图8中。在一实施方案中，方法在 710开始和在740结束。

在750，该方法从720进行到固化该单体或低聚物以形成芯。装 配基板的几个实施方案被描绘在本公开内容中(包括支持正文的图 1-5)。在一实施方案中，方法在710开始和在750结束。在一实施方 案中，方法在710开始，进行到730并且在750结束。

在752，方法包括将芯施用在金属箔上以形成装配基板。在一实 施方案中，方法在710开始和在752结束。在一实施方案中，方法在 710开始，进行到750和752，并且在740结束。

图8是根据一实施方案描绘计算机系统800的剖开正视图 (cut-away elevation)。可以将在聚合物基质中有纳米粘土的芯的一个或 多个前述实施方案使用在计算机系统中，如图8的计算机系统800。 在下文中，任何在聚合物基质中有纳米粘土的芯的实施方案单独地或 与任何其他实施方案结合被称为一个或多个实施方案的构造 (configuration)。

例如，计算机系统800包括至少一个被封装在IC芯片包装810 中的处理器(未画出)，数据存储系统812，至少一个输入设备如键盘 814，和至少一个输出设备如监视器816。在一实施方案中，数据存储 系统812是随机存取存储器，如，动态随机存取存储器(DRAM)、聚 合物存储器、闪速存储器或相变存储器。计算机系统800包括处理数 据信号的处理器，并且可以包括，例如可从Intel Corporation获得的 微处理器。例如，除了键盘814，计算机系统800还可以包括另一种 用户输入设备如鼠标818。在如在图1、3、4和5描绘的那样处理之 后，计算机系统800可以包括具有给定的在聚合物基质中有纳米粘土 的芯实施体的结构。在一实施方案中，计算机系统800包括外壳822， 如，用于台式计算机的机箱。

对于本公开内容来说，配备符合要求保护的主题的组件的计算机 系统800可以包括任何使用微电子器件系统的系统，其可以包括，例 如，至少一个在聚合物基质中有纳米粘土的芯实施体，其与数据存储 器(如DRAM、聚合物存储器、闪速存储器或相变存储器)连接在一起。 在这个实施方案中，一个或多个所述实施体与这些功能体 (functionalities)的任何组合通过与处理器连接而被连接在一起。然而， 在一实施方案中，在本公开内容中阐述的实施体构造(embodiment(s) configuration)是与任何这些功能体连接在一起的。对于例示实施方案， 数据存储器包括嵌入在裸片上的DRAM高速缓冲存储器。另外地， 在一实施方案中，与处理器(未画出)连接的一个或多个实施体构造是 系统的一部分，该系统具有与DRAM高速缓冲存储器的数据存储器 连接在一起的一个或多个实施体构造。另外地，在一实施方案中，一 个或多个实施体构造与数据存储器812连接在一起。

在一实施方案中，计算机系统800还可以包括包含数字信号处理 器(DSP)、微控制器、专用集成电路(ASIC)或微处理器的裸片。在这个 实施方案中，一个或多个实施体构造与这些功能体通过与处理器连接 而被连接在一起。对于例示实施方案，DSP是芯片组的一部分，该芯 片组可以包括独立处理器和DSP作为在板820上的芯片组的单独部 分，其是在聚合物基质中有纳米粘土的芯实施体。在这个实施方案中， 一个或多个实施体的构造与DSP连接在一起，并且可以存在与IC芯 片包装810中的处理器连接的隔开的一个或多个实施体的构造。另外 地，在一实施方案中，一个或多个实施体的构造与被装配在相同板820 上的DSP连接作为IC芯片包装810。现在可以理解的是，一个或多 个实施体的构造可以如对于计算机系统800所阐述的，结合如由本公 开内容范围内的聚合物基质中有纳米粘土的芯的各种实施方案和它 们的同等物所阐述的实施体构造而进行组合。

现在可以理解的是，在本公开内容中阐述的实施方案可以被应用 到除了传统的计算机以外的设备和装置。例如，裸片可以用一个或多 个实施体的构造进行包装，并且被放置在便携设备中，如无线电通信 装置或手持装置，如个人数据助理器等等。在这个实施方案中，系统 外壳可以是用于无线电话等等的壳。另一实例是裸片，其可以用一个 或多个实施体的构造进行包装并且放置在交通工具中，如汽车、机车、 船舶、飞行器、或宇宙飞船。

图9是根据一实施方案的电子系统900的示意图。如描绘的电子 系统900可以包括在图8中描绘的计算机系统800，但是该电子系统 被更一般地描绘。电子系统900包括至少一个装配基板，例如描绘在 图8中的板820，具有电子组装体(electronic assembly)，如集成电路(IC) 裸片910。在一实施方案中，电子系统900是计算机系统，其包括系 统总线920以电连接电子系统900的各种组件。根据各种实施方案， 系统总线920是单总线或多个总线的任何组合。电子系统900包括向 集成电路910提供电力的电压电源930。在一些实施方案中，电压电 源930通过系统总线920向集成电路910提供电流。

根据一实施方案，集成电路910被电连接到系统总线920并且包 括任何电路或电路的组合。在一实施方案中，集成电路910包括可以 是任何类型的处理器912。如在本文中使用的，处理器912表示任何 类型的电路，例如而并不限于微处理器、微控制器、图形处理器、数 字信号处理器或其他处理器。可以被包括在集成电路910中的其他类 型的电路是习用电路或ASIC，如用于无线电设备(如，蜂窝式电话、 传呼机、便携式计算机、双向无线电设备和类似的电子系统)的通信电 路914。在一实施方案中，处理器910包括裸片上的存储器(on-die memory)916，如SRAM。在一实施方案中，处理器910包括裸片上的 存储器916，如eDRAM。

在一实施方案中，电子系统900还包括外存储器94，其又可以包 括一种或多种适合于特定应用的存储元件，如RAM形式的主存储器 942，一个或多个硬盘驱动器944，和/或一个或多个手持可移动介质 946(如磁盘、光盘(CD)、数字视频盘(DVD)、闪速存储器及其他在本 领域已知的可移动介质)的驱动器。

在一实施方案中，电子系统900还包括显示设备950，和声频输 出设备960。在一实施方案中，电子系统900包括输入设备970，如 键盘、鼠标、轨迹球、游戏控制器、麦克风、声音识别装置或任何其 他将信息输入到电子系统900中的设备。

如在本文中所示，集成电路910可以以多个不同实施方案实施， 这些实施方案包括电子包装(electronic package)、电子系统、计算机系 统、一种或多种制造集成电路的方法和一种或多种制造电子组装体的 方法，该电子组装体包括安装在板上的集成电路和如在本文在各种实 施方案中阐述的在聚合物基质中有纳米粘土的芯实施体和它们的在 领域中已知的等价物。元件、材料、几何形状、尺寸、和操作顺序全 部能够变化以适合特殊包装要求。

遵照37C.F.R.§1.72(b)提供了摘要，该规定要求能使读者快速确 定技术公开内容的性质和要点的摘要。该摘要被提交，应理解的是它 不会被用来解释或限制权利要求的范围或意义。

在前面详细描述中，为了使公开内容简化有效率，各种特征被集 合在单个实施方案中。这种公开的方法不应该被解释为反映该本公开 内容要求保护的实施方案需要比在每个权利要求中清楚列举的更多 的技术特征的目的。而是，如以下权利要求反映的，发明的主题具有 少于单个公开的实施方案的所有技术特征。因此，下面的权利要求在 此被并入到详细描述中，同时每个权利要求本身作为单独的优选的实 施方案。

对于本领域的技术人员将容易理解的是，可以在部件和的细节、 材料和排列和为了解释实施方案而已被描述和举例说明的方法步骤 方面进行改变而不脱离本公开内容的原理和范围，如在附加权利要求 中表达的那样。