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颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法、及磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶

摘要

一种颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法,其特征在于,作为原料粉末,准备含有Cr:50~70原子%、余量为Co的Cr-Co合金粉末、Pt粉末、非磁性氧化物粉末及Co粉末,将上述原料粉末配合、混合成含有非磁性氧化物:2~15摩尔%、Cr:3~20摩尔%、Pt:5~30摩尔%、余量:Co的成分组成后,进行加压烧结;一种颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法,作为原料粉末,准备含有Pt:10~90原子%、余量为Cr的Pt-Cr二元系合金粉末、Pt粉末、非磁性氧化物粉末、及Co粉末,将上述原料粉末配合、混合成含有非磁性氧化物:2~15摩尔%、Cr:3~20摩尔%、Pt:5~30摩尔%、余量:Co的成分组成后,进行加压烧结;以及一种磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶,含有非磁性氧化物:2~15摩尔%、Cr:3~20摩尔%、Pt:5~30摩尔%、余量:Co及无法避免的杂质的成分组成,基体中绝对最大长度超过5μm的铬氧化物凝集体在500个/mm

著录项

  • 公开/公告号CN101405429A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三菱麻铁里亚尔株式会社;

    申请/专利号CN200780010001.2

  • 发明设计人 野中庄平;白井孝典;杉内幸也;

    申请日2007-03-30

  • 分类号C23C14/34;C22C27/06;C22C1/04;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人熊玉兰

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-12-17 21:40:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-11-23

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/34 公开日:20090408 申请日:20070330

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-06-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-04-08

    公开

    公开

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