同一个衬底上具有相同导电类型的低和高性能器件的半导体器件结构

摘要

一种用于制作半导体器件结构的方法，包括：提供衬底(10)；在衬底上形成具有第一间隔件(SP)的第一栅极(G1)、具有第二间隔件(SP)的第二栅极(G2)、分别与第一栅极和第二栅极相邻的相同导电类型的各个源极(S)和漏极(D)区域、设置在第一栅极和第二栅极中间的隔离区域(STI)、以及在第一栅极、第二栅极和各个源极与漏极区域上的硅化物；在第一间隔件上形成附加间隔件(RSPS)，以产生中间结构，然后在整个中间结构上设置应力层。