互补金属氧化物半导体成像器中的有效电荷转移

摘要

本发明揭示操作像素单元的方法，所述方法包含在用于相关联的光传感器的电荷积分周期期间，使用多个脉冲将光电荷有效地转移到晶体管转移栅极。所述像素单元可在正常动态范围模式或高动态范围(HDR)模式中以有效的转移特征进行操作。可通过操作任选的HDR晶体管或通过使施加到复位栅极的电压波动来实现所述高动态范围。