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具有集成的去耦电容器的电容性RF－MEMS器件

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摘要

本发明提出了一种包括垂直集成的去耦电容器(14)的电容性RF－MEMS。因此所述去耦电容器(14)不会占据额外的面积。另外，根据本发明的RF－MEMS需要更少的互连，这也节省了空间，并且减小了RF路径中的串联电感/阻抗。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-03-28

授权

授权
2010-10-06

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01H59/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20100825 申请日:20060421

专利申请权、专利权的转移
2008-08-27

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-07-02

公开

公开

1. 具有集成的去耦电容器的电容性RF－MEMS器件 [P] . 中国专利： CN101213631A . 2008-07-02
2. 去耦电容器及具有该去耦电容器的集成电路 [P] . 中国专利： CN103247697A . 2013-08-14
3. The capacitive RF-MEMS device with integrated decoupling capacitor [P] . 日本专利： JP4814316B2 . 2011-11-16

机译：具有集成去耦电容器的电容性RF-MEMS器件
4. Capacitive RF-MEMS device with integrated decoupling capacitor [P] . 美国专利： US8238074B2 . 2012-08-07

机译：具有集成去耦电容器的电容RF-MEMS器件
5. CAPACITIVE RF-MEMS DEVICE WITH INTEGRATED DECOUPLING CAPACITOR [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1880403B1 . 2012-06-13

机译：集成去耦电容器的电容式RF-MEMS器件