增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置

摘要

本发明的增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置，增加静电荷的释放路径以增强晶粒抗反偏压静电损害能力，于检光器晶粒四周增加释放静电路径为P型金属层、降低电阻区、P型半导体区、i型光吸收层、N型缓冲层、N型基板、N型金属层，疏导大部分静电荷于晶粒四周释放，以避免大部分静电荷集中于晶粒中间贯穿而造成晶粒损害，达到增强晶粒抗反偏压静电损害能力。