GaAs基板的洗涤方法、GaAs基板的制造方法、外延基板的制造方法以及GaAs晶片

摘要

本发明提供洗涤后析出异物数量少的GaAs基板的洗涤方法。该洗涤方法由酸洗涤工序(S11)、纯水洗净工序(S12)和旋转干燥工序(S13)构成。首先，通过将表面被镜面研磨的GaAs基板浸渍到酸性洗涤液中来进行酸洗涤工序(S11)。在酸洗涤工序中，洗涤时间不足30秒。然后，进行用纯水将附着在被洗涤的GaAs基板上的洗涤液冲洗干净的纯水洗净工序(S12)。接着，进行使附着有纯水的GaAs基板干燥的旋转干燥工序(S13)。由此，可以提供洗涤后析出异物数量少的GaAs基板。