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公开/公告号CN1886699A
专利类型发明专利
公开/公告日2006-12-27
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN200480035077.7
发明设计人 罗伯特·米格莱;迈克尔·古德纳尔;史蒂夫·E·帕特纳;谢恩·克拉克;W·岳;
申请日2004-10-15
分类号
代理机构北京嘉和天工知识产权代理事务所;
代理人严慎
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 18:08:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-01-13
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-02-14
实质审查的生效
2006-12-27
公开
机译: 通过使用臭氧辅助化学气相沉积氧化硅的尺寸减小方法实现非回蚀刻自对准
机译: 离子辅助沉积和注入光致抗蚀剂以改善线边缘粗糙度
机译: 离子辅助光致抗蚀剂的沉积和注入,以改善线边缘的粗糙度
机译:有机锡羧酸盐的低线边缘粗糙度极紫外光致抗蚀剂
机译:2D和3D光致抗蚀剂线粗糙度表征
机译:材料和工艺对光致抗蚀剂线边缘粗糙度的影响的仿真
机译:九个化学相关光致抗蚀剂线边缘粗糙度的空间频率分析。
机译:使用稳定的水同位素和水化学方法了解进入瓦西流域的水流来源
机译:通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
机译:相对于太阳和行星际参数,宇宙射线强度的磁滞回线减小
机译:使用人工神经网络的Hastelloy X磁滞回线的材料数据表示