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公开/公告号CN1839213A
专利类型发明专利
公开/公告日2006-09-27
原文格式PDF
申请/专利权人 霍尼韦尔国际公司;
申请/专利号CN200480023992.4
发明设计人 B·J·丹尼尔斯;C·J·豪斯曼;C·L·哈奇森;李逸亨;易骛文;S·D·斯特罗特尔斯;M·R·平特;M·E·托马斯;A·S·巴哈纳浦;
申请日2004-08-20
分类号C23C14/14;C23C14/32;C23C14/34;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人范赤
地址 美国新泽西州
入库时间 2023-12-17 17:46:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-09-23
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-11-15
实质审查的生效
2006-09-27
公开
机译: 三元混合物中包含铜的PVD目标以及形成铜的PVD目标的方法
机译: 具有耐热氧化性和耐腐蚀性的Cr-Al二元合金粉末的制造方法,Cr-Al二元合金粉末,Cr-Al二元合金PVD靶的制造方法和Cr-Al二元合金PVD靶
机译: 含铜PVD靶及其制造方法
机译:Q开关Nd:YAG激光在大气压力下从铜靶中的铜靶产生的等离子体的时间分辨光发射光谱
机译:铜替代铜绿假单胞菌中LysR型调节子PtxR的铁依赖性表达需要编码替代西格玛因子PvdS的毛皮调节基因。
机译:在硫酸铜电镀液中通过电沉积和溶解形成Cu细颗粒以形成微孔PVD硬膜
机译:PVD电阻基板上的无籽铜电化学沉积作为HAR TSV中PVD铜籽晶层的替代/增强
机译:在高温下通过粘性流进行PVD铜沟槽填充
机译:间日疟原虫达菲结合蛋白-II(PvDBP-II)的单一变体形式是否足以包含在基于PvDBP-II的疫苗中?
机译:用铜沉积和铜硫酸铜浴中的铜微粒制造微孔PVD硬涂层
机译:连续电子束在铝,铜,钼和钨靶上发生的厚靶X射线的计算。