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公开/公告号CN1828934A
专利类型发明专利
公开/公告日2006-09-06
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN200510048392.X
发明设计人 M·哈滕多夫;J·黄;A·穆蒂;A·维斯特迈尔;
申请日2005-12-16
分类号H01L29/78;H01L29/02;H01L21/336;H01L21/24;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人梁永
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 17:38:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-10-14
授权
2006-10-25
实质审查的生效
2006-09-06
公开
机译: 应变NMOS晶体管具有深碳掺杂区和升高的施主掺杂源极和漏极
机译:n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的级联C_7H_x注入后快速固相外延和激光退火形成的低应变碳掺杂源极/漏极的高应变沟道
机译:高拉伸应变的硅碳合金外延生长到NMOS器件的凹陷源漏区中
机译:带有硅源区和漏区以及嵌入式硅/锗作为应变传递结构的应变n沟道晶体管
机译:高张力应变硅碳磷合金外延生长到NMOS器件的凹陷源漏区中
机译:浅层软骨细胞调节深区软骨中的多磷酸盐水平,这与组织形成增加和深区软骨细胞矿化减少有关
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:具有自对准源/漏区的掺杂掺杂硼的氧化锌薄膜晶体管,以增强热稳定性
机译:具有碳掺杂p +区的Gaas自对准JFETs