调节磁控溅射反应气体分压制备Ti－Si－N膜的方法

摘要

一种薄膜技术领域的调节磁控溅射反应气体分压制备Ti－Si－N膜的方法。本发明采用直流反应磁控溅射，溅射靶为Ti－Si镶嵌靶，工作气氛为氮气和氩气的混合气氛，Ti－Si镶嵌靶上Ti、Si有效溅射面积比固定，总工作气压固定，通过在0.002Pa－0.04Pa之间改变氮气分压，制备得到Ti－Si－N纳米复合膜。本发明可以简化原有的工艺方法，仅通过改变一种反应气体的气体分压就可方便地控制膜层的成分、微观组织结构和力学性能，具有较强的实用性。