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公开/公告号CN1744238A
专利类型发明专利
公开/公告日2006-03-08
原文格式PDF
申请/专利权人 TDK株式会社;
申请/专利号CN200510106734.9
发明设计人 田中博文;五十岚克彦;
申请日2005-09-01
分类号H01C7/00(20060101);H01B1/00(20060101);H01C17/06(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人郭煜;邹雪梅
地址 日本东京都
入库时间 2023-12-17 16:59:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-01-27
发明专利申请公布后的驳回
2006-05-03
实质审查的生效
2006-03-08
公开
机译: 涂覆聚合物厚膜电阻浆料以制备具有改进的公差的聚合物厚膜电阻器的方法
机译: 厚膜电阻浆料,厚膜电阻和电子元件
机译:玻璃组成对掺杂硅酸铅玻璃(厚膜电阻器)中RuO2残余晶体热膨胀的影响
机译:钌的氧化物化合物(厚膜电阻器)掺杂硅酸盐玻璃的导电机理。 2.玻璃中的纳米晶体和电荷载体的定位
机译:钌的氧化物化合物(厚膜电阻器)掺杂硅酸盐玻璃的导电机理。 3.电阻率的温度依赖性最小
机译:无铅厚膜电阻浆料的制备
机译:二氧化钌的微结构发展和电学性质-玻璃厚膜电阻器-非等温研究(混合电路,电陶瓷,微电子学)。
机译:血沉棕黄层厚膜在检测常规厚膜阴性的疟疾寄生虫中的应用
机译:玻璃组成对RuO 2 / sub的残余晶体的热膨胀的影响。掺杂硅酸铅玻璃(厚膜电阻器)
机译:影响RuO2厚膜电阻器电性能的因素