硒同素异晶P.N或N.P型结构的感光大平板的制造工艺

摘要

本发明公开了一种硒同素异晶P.N或N.P型结构的直接成像的感光大平板的制造工艺。该工艺将非晶硒和晶硒混合膜层、晶硒膜层制在导电平板上。这是一种全新的同素异晶构造的P.N或N.P型双层结构的光敏半导体，其特点是带电稳定电位高，成像质量好，工艺稳定，重复性强，易获得物理参数一致的膜层，有效地克服传统制膜工艺的制造难度大，成功率低、重复性、稳定性差，带电性能不稳定。电位也不理想的缺陷。对未来医学影像数字化的发展普及和提高起到了推波助澜的作用。