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含铪膜形成材料、以及该形成材料和含铪薄膜的制造方法

摘要

本发明提供一种气化稳定性优良、具有较高成膜速度的含铪膜形成材料以及该形成材料的制造方法。还提供一种具有良好的段差覆盖性的含铪薄膜的制造方法。本发明是一种含有有机铪化合物的含铪膜形成材料的改良,其中该有机铪化合物含有由铪原子与氮原子形成的键,或由铪原子与氧原子形成的键,具有其特征的构成在于形成材料中所含的锆元素的含量在650ppm或以下。

著录项

  • 公开/公告号CN1664164A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三菱综合材料株式会社;

    申请/专利号CN200410087435.0

  • 发明设计人 斋笃;曾山信幸;柳泽明男;

    申请日2004-09-08

  • 分类号C23C16/18;C07F7/00;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人曹雯;庞立志

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-12-17 16:29:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-07-15

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2006-12-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-09-07

    公开

    公开

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