减少应变层场效应晶体管中位错导致的泄漏的方法

摘要

本发明涉及减少应变层场效应晶体管中位错导致的泄漏的方法。本发明提供了一种制造半导体场效应晶体管比如应变Si n－MOSFET的结构和方法，其中，跨越源极和漏极的位错或者晶体缺陷被重p型掺杂剂部分占据。最好，该应变层n－MOSFET包括Si、SiGe或者SiGeC多层结构，该多层结构在源极和漏极之间的区域包括优先占据位错位置的杂质原子，以防止源极和漏极因为沿着位错的掺杂剂扩散而短接。用本发明形成的器件不受与位错相关的缺陷的故障的影响，因此对于工艺和材料的变化更有鲁棒性。从而，本发明放松了降低SiGe缓冲层中的线形位错浓度的要求，因为所述器件可以不管有限数量的位错的存在而仍能工作。