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功率型高亮度白光组合半导体发光二极管(LED)芯片及批量生产的工艺

摘要

本发明揭示几种功率型高亮度白光组合半导体发光二极管(LED)芯片及其低成本高产能的批量生产方法。这几种功率型高亮度白光组合半导体发光二极管芯片的结构包括,但不限于:第一外延层键合到高导热的导电衬底的一面上并且发出具有第一波长的光,导电衬底的另一表面的全部作为第一电极;第二外延层键合到第一外延层并且发出具有第二波长的光,图形化的第二电极层叠于第二外延层的暴露的表面。第一波长的光和第二波长的光复合成白光或者所希望的颜色的光。本发明的键合,层叠电极,和剥离衬底的生产工艺都是在晶片水平进行,所以可以进行低成本高产能的批量生产。

著录项

  • 公开/公告号CN1619846A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 金芃;

    申请/专利号CN200410062731.5

  • 发明设计人 彭晖;彭刚;

    申请日2004-07-08

  • 分类号H01L33/00;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100871 北京市海淀区北京大学燕东园33楼112号

  • 入库时间 2023-12-17 16:08:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-12-26

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2005-07-27

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-05-25

    公开

    公开

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