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有改善的较小正向电压损耗和较高截断能力的半导体结构

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摘要

揭示一种半导体器件。这半导体器件包括一个或多个电荷控制电极的多个电荷控制电极。这些一个或多个电荷控制电极可控制半导体器件漂移区内的电场。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-12-07

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/336 授权公告日:20070926 终止日期:20151016 申请日:20021016

专利权的终止
2007-09-26

授权

授权
2005-06-08

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-04-06

公开

公开

1. 有改善的较小正向电压损耗和较高截断能力的半导体结构 [P] . 中国专利： CN1605119A . 2005-04-06
2. 具有改善的较小正向电压损耗的半导体器件以及制作方法 [P] . 中国专利： CN100339959C . 2007.09.26
3. Method for forming a semiconductor structure with improved smaller forward voltage loss and higher blocking capability [P] . 美国专利： US6991977B2 . 2006-01-31

机译：形成具有改善的较小的正向电压损耗和较高的阻挡能力的半导体结构的方法
4. Method for forming a semiconductor structure with improved smaller forward voltage loss and higher blocking capability [P] . 美国专利： US2004063269A1 . 2004-04-01

机译：形成具有改善的较小的正向电压损耗和较高的阻挡能力的半导体结构的方法
5. SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH IMPROVED SMALLER FORWARD VOLTAGE LOSS AND HIGHER BLOCKING CAPABILITY [P] . 韩国专利： KR100886420B1 . 2009-03-02

机译：具有改进的更小正向电压损耗和更高的阻断能力的半导体结构