法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-01-05
专利权的视为放弃 IPC(主分类):H04L29/06 放弃生效日:20050316 申请日:20040623
专利权的视为放弃
2007-07-11
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-03-16
公开
公开
机译: 用于基于半凝胶凝胶表面的半导体器件的制造方法,提供了提供第一二氧化硅层的开口和贯穿该开口的第二二氧化硅层的第二层。第二层中的这种量的不同元素的化合物doteringsstofelement补充说,twerkwijze造纸厂的etssnelheid通过半导体器件出现,该器件在半凝胶表面上的av开口
机译: 用于基于半凝胶凝胶表面的半导体器件的制造方法,提供了提供第一二氧化硅层的开口和贯穿该开口的第二二氧化硅层的第二层。第二层中的这种量的不同元素的化合物doteringsstofelement补充说,twerkwijze造纸厂的etssnelheid通过半导体器件出现,该器件在半凝胶表面上的av开口
机译: 电信网络的osi(iso)第二层环路的控制方法