减少工作电压与温度所造成的影响的推动电压产生器

摘要

一种减少工作电压与温度所造成的影响的推动电压产生器，包括一延迟线电路与一电压推动电路。延迟线电路用于根据一起始推动信号而做时间延迟，并产生一控制信号；以及，电压推动电路用于根据控制信号以做电压提高的工作。

说明书

技术领域

本发明是有关于一种推动电压产生器，且特别是有关于一种减少工作电压与温度所造成的影响的推动电压产生器。

背景技术

由于半导体的技术不断地进步，使得在一个芯片上的晶体管的数量不断地增加，因此，在芯片上的电路要考虑许多稳定操作的因素。例如，在芯片上用以提高工作电压的推动电压产生器，其所要考虑的因素有工作电压的变动，芯片温度的改变等等。

如图1为普通推动电压产生器的电路图所示，当推动电压产生器100未工作时，在NMOS 102的栅极所接收的重置信号RESET为“H”(即高准位)，则NMOS 102导通，在提高电容Cx 104的电位Vx的电压为0V，提高电容Cx 104的电位Vo的电压为一提高电压Vup。当推动电压产生器100开始工作时，在NMOS 102的栅极所接收的重置信号RESET为“L”(即低准位)，则NMOS 102关闭，控制信号C0、C1、C2为“L”，使PMOS 106～114导通并对提高电容Cx 104充电。当提高电容Cx 104的电位Vx充电到电压为VDD时，提高电容Cx 104的电位Vo的电压为Vup+VDD×Cx/(Cx+Cy)，此电压即为所要提高电压准位。其中，电容Cy 116为寄生电容。

在图1中，PMOS 106～114是同时导通的，但是并非同时关闭的，如图2A为普通推动电压产生器的工作曲线图所示，当PMOS106～114同时导通时，电位Vo由电压值V1充电到电压值V2，而且由电压侦测电路(未绘出)侦测到电位Vo的电压值为V2，此时，控制信号C0由“L”转为“H”，PMOS 106～108关闭，而提高电容Cx104的充电电流减少。因此，在图2中，从电压值V2继续充电的充电斜率变小。

当电位Vo由电压值V2充电到电压值V3时，而且由电压侦测电路(未绘出)侦测到电位Vo的电压值为V3，此时，控制信号C1由“L”转为“H”，PMOS 109～111关闭，而提高电容Cx 104的充电电流再次减少。因此，在图2中，从电压值V3继续充电的充电斜率再次变小。

当电位Vo由电压值V3充电到电压值V4时，而且由电压侦测电路(未绘出)侦测到电位Vo的电压值为V4，此时，控制信号C2由“L”转为“H”，PMOS 112～114关闭，而提高电容Cx 104不再充电。因此，在图2中，从电压值V4之后的充电斜率为0。

当电压侦测电路(未绘出)侦测到电位Vo已经达到所要的提高电压时，PMOS 106～114会全部关闭，使提高电容Cx 104不再充电。然而，当工作电压改变或芯片温度变化，会大大地影响电压侦测电路(未绘出)所侦测的电压值，因为工作电压改变或芯片温度变化，使电压侦测电路(未绘出)内部用于比较的参考值会随之改变，因此，推动电压产生器100所提高的电压值不再是所要的数值。

再者，假设此芯片的工作电压与操作温度分别为2.6V～3.7V与-40℃～85℃之间，如图2B为普通推动电压产生器操作在不同温度的工作曲线图所示，当芯片操作在温度-40℃时，推动电压产生器具有较高的充电斜率；当芯片操作在温度85℃时，推动电压产生器具有较低的充电斜率。同样地，如图2C为普通推动电压产生器操作在不同工作电压的工作曲线图所示，当芯片的工作电压为3.7V时，推动电压产生器具有较高的充电斜率；当芯片的工作电压为2.6V时，推动电压产生器具有较低的充电斜率。当充电斜率愈高时，表示推动电压产生器所输出的充电电流愈大，则充电所需要的时间愈短；反之，表示推动电压产生器所输出的充电电流愈小，则充电所需要的时间愈长。因此，芯片操作在在温度为85℃、工作电压为2.6V的条件下，则推动电压产生器对于所要提高的电压的修正能力就很差(如充电电流小、充电时间长、充电的电压值并非所要的)。在图2B与图2C中的两条曲线，其最终电压值的差异是由于电压侦测电路所造成的，其原因如上所述。

发明内容

本发明是提供一种减少工作电压与温度所造成的影响的推动电压产生器，当芯片的工作电压与温度改变时，推动电压产生器调整充电时间与电压推动用MOS导通的个数，使其不受工作电压与温度改变的影响，可使推动电压产生器能够确实地提高电压到所预定的电压值。再者，当芯片操作低转角点(Low Corner)的操作条件时，仍可由推动电压产生器调整充电电流与充电时间，而推动电压产生器仍然有很好的工作特性。

本发明提供一种减少工作电压与温度所造成的影响的推动电压产生器，其包括一延迟线电路与一电压推动电路。延迟线电路用以根据一起始推动信号而做时间延迟，并产生一控制信号；以及，电压推动电路用以根据控制信号以做电压提高的工作。如此，当芯片的工作电压与温度改变时，使其不受工作电压与温度改变的影响，再者，当芯片操作低转角点的操作条件时，推动电压产生器仍然有很好的工作特性。

因此，本发明的优点为有效改善因工作电压与温度改变所造成的提高电压的误差。

本发明的另一优点是对芯片操作在低转角点的条件下，具有极佳的补强修正能力。

附图说明

图1为普通推动电压产生器的电路图；

图2A为普通推动电压产生器的工作曲线图；

图2B为普通推动电压产生器操作在不同温度的工作曲线图；

图2C为普通推动电压产生器操作在不同工作电压的工作曲线图；

图3为本发明推动电压产生器的方框图；

图4为本发明具有电压补偿的推动电压产生器的电路方框图；

图5为图4电路的控制信号时序图；

图6为本发明推动电压产生器中的电压补偿延迟线电路的一较佳实施例的电路图；

图7为本发明具有电压补偿的推动电压产生器的另一种电路方框图；

图8为图7电路的控制信号时序图；

图9为本发明推动电压产生器中的时间延迟电路的一较佳实施例的电路图；

图10为本发明具有电压与温度补偿的推动电压产生器的电路方框图；

图11为图10电路的控制信号时序图；

图12为本发明推动电压产生器中的电压温度补偿延迟线电路的一较佳实施例的电路图；

图13为本发明具有电压与温度补偿的推动电压产生器的另一电路方框图；

图14为本发明推动电压产生器中的时间延迟电路的另一较佳实施例的电路图；

图15为图13电路的控制信号时序图；

图16为图13的推动电压产生器的工作曲线图。

100，370：推动电压产生器(Boost Level Generator)

102，606，914，1414：NMOS

104：提高电容Cx(Boost Capacitor Cx)

106～114，1206，1208，1301～1309，1420：PMOS

116，1313：寄生电容Cy(Parasitic Capacitor Cy)

372：延迟线电路(Delay Line Circuit)

374：电压推动电路(Boost Level Circuit)

376：电容

402，702，714，1002，1318，1320，1322：延迟线逻辑电路(DelayLine Logic Circuit)

404，408，601～604，704，708，720，901～904，907，908，1004，1008，1201～1204，1312，1314，1326，1334，1344，1401～1408：反相器

406，706，718，1324，1332：电压补偿延迟线电路

410，710，724，1010，1328，1338，1348：与非门(NAND Gate)

608，610，1210，1212：电容C

612，614，930，934，1214，1216，1430，1432，1434：反相器组

712，1316：时间延迟电路

716，1330，1340：RS正反器(RS Flip-Flop)

722，1336，1346：或非门(NOR Gate)

910，1410，1412：RC时间延迟电路

936，1436，1438：RC电路

1006，1342：电压温度补偿延迟线电路

1313：重置用MOS(Reset MOS)

具体实施方式

请参照图3，其为本发明推动电压产生器的方框图；在图3中，推动电压产生器370中的延迟线电路372接收到起始推动信号BST，在经过一段时间延迟后，延迟线电路372送出控制信号至电压推动电路374，使电压推动电路374对电容376充电，而使得电位Vo的电压提高至所需的操作电压。

其中，电压推动电路374可以是数个MOS所组成(如图1所示)。电压推动电路还包括一重置用MOS(如图1的NMOS 102)，此重置用MOS(如图1的NMOS 102)根据所接收的起始推动信号BST来重置电压推动电路374所输出的电压。延迟线电路372可以是具有工作电压补偿或是温度补偿的延迟线电路372。如图4为本发明具有电压补偿的推动电压产生器的电路方框图所示，由电压补偿延迟线电路406、反相器408与与非门410组成一延迟线逻辑电路402。反相器404反相起始推动信号BSTB做反相，由反相器404输出起始推动信号BST至电压补偿延迟线电路406和与非门410。电压补偿延迟线电路406接收起始推动信号BST，并将此起始推动信号BST做时间延迟，以输出延迟起始推动信号BSTD至反相器408。此时，反相器408将延迟起始推动信号BSTD做反相之后，反相器408输出延迟信号BSTDB至与非门410。与非门410根据起始推动信号BST与延迟信号BSTDB来做与非门运算，并输出控制信号至电压推动电路374。

图5为图4电路的控制信号时序图。在图5中(并参考图4之图标说明)，当反相起始推动信号BSTB在时间点t1由“H”转“L”时，延迟线逻辑电路402在时间点t1使输出的控制信号由“H”转“L”，则电压推动电路374对电容376充电。当电位Vo的电压提高至所需的操作电压时，延迟线逻辑电路402在时间点t2将控制信号由“L”转“H”。若推动电压产生器370的工作电压改变时，电压补偿延迟线电路406会做工作电压的补偿，则因工作电压的改变，控制信号可能在时间点t2’或t2”由“L”转“H”。

在图4中的电压补偿延迟线电路406的电路架构如图6为本发明推动电压产生器中的电压补偿延迟线电路的一较佳实施例的电路图所示。在图6中，在反相器组612中的反相器601的输入端接收起始推动信号BST，在反相器601的输出端输出一反相信号NOT。开关用NMOS 606(也可使用PMOS)的电源端耦接至工作电压VDD，开关用NMOS 606的控制端耦接至开关用NMOS 606的电源端，而此开关用NMOS 606是操作在饱和区。在反相器组612中的反相器602的电源端耦接至开关用NMOS 606的负载端，反相器602的接地端接地，反相器602的输入端接收反相器601所输出的反相信号NOT，反相器602的输出端输出一反相信号NOTB。在反相器组614中的反相器603的输入端接收反相器602所输出的反相信号NOTB，在反相器603的输出端输出一反相信号DB。在反相器组614中的反相器604的输入端接收反相器603所输出的反相信号DB，在反相器604的输出端输出一延迟起始推动信号BSTD。数个电容608、610的第一端并联耦接至反相器602的输出端与反相器603的输入端之间，电容608、610的第二端接地。

在图6中，电容C可以用MOS来完成电容的功能，电容C的个数取决于电压补偿延迟线电路406的充放电时间的长短，若要其充放电时间愈长，则需要电容C的个数就愈多；反之，则需要电容C的个数就愈少。反相器601～604可做隔离的效果，使外部的信号不会进入电容C 608、610充放电电路，而影响电容C 608、610充放电的电流大小与充电时间。另外，影响此电压补偿延迟线电路406的时间延迟长短，其在于工作电压VDD，因为电容C 608、610是由反相器602进行充放电，而反相器602的工作电压即为VDD。如此，当工作电压VDD改变时，则电容C 608、610的充放电的的电流与时间也随之改变，所以，电压补偿延迟线电路406可调整因工作电压VDD改变而改变电压推动电路374(参考图3)对电容376(参考图3)的充电时间，减少因工作电压VDD的改变，而影响到推动电压产生器370(参考图3)的工作效能。

图7为本发明具有电压补偿的推动电压产生器的另一种电路方框图。在图7中，由电压补偿延迟线电路706、反相器708和与非门710组成一延迟线逻辑电路702。反相器704反相起始推动信号BSTB做反相，由反相器704输出起始推动信号BST至电压补偿延迟线电路706与与非门710。电压补偿延迟线电路706接收起始推动信号BST，并将此起始推动信号BST做时间延迟，以输出延迟起始推动信号BSTD1至反相器708。此时，反相器708将延迟起始推动信号BSTD1做反相之后，反相器708输出延迟信号BSTDB1至与非门710。与非门710根据起始推动信号BST与延迟信号BSTDB1来做与非门运算，并输出控制信号C0至电压推动电路374。

时间延迟电路712将起始推动信号BST做时间延迟，以输出起始时间信号TIMEUPB延迟线逻辑电路714。由RS正反器716、电压补偿延迟线电路718、反相器720、或非门722与与非门724组成一延迟线逻辑电路714。RS正反器714根据延迟线逻辑电路702所输出的延迟起始推动信号BSTD1与时间延迟电路712所输出的起始时间信号TIMEUPB的状态，以输出信号FF1至电压补偿延迟线电路718与反相器720。电压补偿延迟线电路718接收信号FF1，并将此信号FF1做时间延迟，以输出延迟起始推动信号BSTD2至或非门722。反相器720将所接收的信号FF1做反相，以输出一反相信号FF1B至或非门722。或非门722根据反相信号FF1B与延迟信号BSTDB2来做或非门运算，并输出信号BSTDB2至与非门724。与非门724根据起始推动信号BST与信号BSTDB2来做与非门运算，并输出控制信号C1至电压推动电路374。

图8为图7电路的控制信号时序图。在图8中(参考图7的图标说明)，在时间点t1，当信号BSTB由“H”转“L”时，表示起始推动信号BST由“L”转“H”，时间延迟电路712与延迟线逻辑电路702开始工作。而延迟线逻辑电路702在时间点t1也将控制信号C0由“H”转“L”，使电压推动电路374对电容376充电，如此使得电位Vo的电压提高。

在时间点t3，因控制信号C0仍然在“L”的状态下，延迟线电路316在经过一段延迟时间后，将起始时间信号TIMEUPB由“H”转“L”并送至延迟线逻辑电路714，此时，延迟线逻辑电路702送出延迟信号BSTDB1为“H”至延迟线逻辑电路714，当延迟线逻辑电路714接收到为“L”的起始时间信号TIMEUPB与为“H”的延迟信号BSTDB1时，延迟线逻辑电路714开始工作。同样在时间点t3，控制信号C1由“H”转“L”，而使电压推动电路374对电容376再次充电，如此使得电位Vo的电压再次提高。

当推动电压产生器370将提高的电压达到所需的操作电压之后，在时间点t5，信号BSTB由“L”转“H”，即起始推动信号BST由“H”转“L”。此时，时间延迟电路712、延迟线逻辑电路702与延迟线逻辑电路714不再工作，则控制信号C0与C1都为“H”。

若推动电压产生器370的工作电压改变时，电压补偿延迟线电路706、718会做工作电压的补偿，则因工作电压的改变，控制信号C0、C1可能分别在时间点t2’或t2”与时间点t4’或t4”由“L”转“H”。

在图7中的电压补偿延迟线电路706、718的电路架构如图6所示，而电压补偿延迟线电路706、718与图6的电路架构的差异在于电压补偿延迟线电路706、718的输入信号与输出信号。电压补偿延迟线电路706的输入信号为起始推动信号BST，而输出信号为延迟信号BSTDB1；电压补偿延迟线电路706的输入信号为信号FF1，而输出信号为延迟信号BSTDB2，则电压补偿延迟线电路706、718的电路架构与图6相同。

图9为本发明推动电压产生器中的时间延迟电路的一较佳实施例的电路图。在图9中，时间延迟电路712中的反相器901的输入端接收起始推动信号BST，在反相器901的输出端输出一第一反相信号。反相器902的输入端接收反相器901所输出的第一反相信号，在反相器902的输出端输出一第二反相信号。在反相器组930中的反相器903的输入端接收反相器902所输出的该第一反相信号，在反相器903的输出端输出一第三反相信号。在反相器组930中的反相器904的输入端接收反相器903所输出的第三反相信号，在反相器904的输出端输出一第四反相信号。

RC时间延迟电路910的电源端耦接至工作电压VDD，RC时间延迟电路910的第一信号输入端接收反相器902所输出的第二反相信号，RC时间延迟电路910的第二信号输入端接收反相器904所输出的第四反相信号，RC时间延迟电路910在做时间延迟之后，以产生时间延迟信号TD，并由时间延迟信号输出端输出时间延迟信号TD。

在反相器组934中的反相器907的输入端接收RC时间延迟电路910所输出的时间延迟信号TD，在反相器907的输出端输出一第五反相信号。在反相器组934中的反相器908的输入端接收反相器907所输出的第五反相信号，在反相器908的输出端输出起始时间信号TIMEUPB。

在图9中，根据起始时间信号TIMEUPB的充放电的工作周期(Duty Cycle)，可以使用与RC时间延迟电路910相同的数组时间延迟电路，以对其工作周期做调整。RC时间延迟电路910中的开关用PMOS 914(也可使用NMOS)的电源端耦接至工作电压VDD，开关用PMOS 914的控制端耦接至反相  902的输出端，开关用PMOS 914的负载端提供充电电源至RC电路936，RC电路936将反相器904所送出的第四反相信号延迟一段时间后，再送出时间延迟信号TD至反相器907的输入端。而RC电路936的电路型式很多，在图4中的RC电路936为其中的一种接法，在此不多加描述。其中，RC电路936中的电容C可以用MOS来完成电容的功能，RC电路436中的电阻R系使用低温度系数的电阻(如Poly R)，如此在做RC充放电时，其充电的电流大小与充电时间较不受温度的影响。而且，时间延迟电路712中使用反相器组430、434的原因，除了使RC充放电到一定的准位切换电压后，可进行“H”与“L”的准位切换，并有隔离RC电路的效果，使外部的信号不会进入RC充放电电路，而影响RC充放电的电流大小与充电时间。

图10为本发明具有电压与温度补偿的推动电压产生器的电路方框图。在图10中，由电压温度补偿延迟线电路1006、反相器1008与与非门1010组成一延迟线逻辑电路1002。反相器1004反相起始推动信号BSTB做反相，由反相器1004输出起始推动信号BST至电压温度补偿延迟线电路1006与与非门1010。电压温度补偿延迟线电路1006接收起始推动信号BST，并将此起始推动信号BST做时间延迟，以输出延迟起始推动信号BSTD至反相器1008。此时，反相器1008将延迟起始推动信号BSTD做反相之后，反相器1008输出延迟信号BSTDB至与非门1010。与非门1010根据起始推动信号BST与延迟信号BSTDB来做与非门运算，并输出控制信号至电压推动电路374。

图11为图10电路的控制信号时序图。在图11中(并参考图10的图标说明)，当反相起始推动信号BSTB在时间点t1由“H”转“L”时，延迟线逻辑电路1002在时间点t1使输出的控制信号由“H”转“L”，则电压推动电路374对电容376充电。当电位Vo的电压提高至所需的操作电压时，延迟线逻辑电路1002在时间点t2将控制信号由“L”转“H”。若推动电压产生器370的工作电压与温度改变时，电压温度补偿延迟线电路1006会做工作电压与温度的补偿，则因工作电压与温度的改变，控制信号可能在时间点t2’或t2”由“L”转“H”。

图12为本发明推动电压产生器中的电压温度补偿延迟线电路的一较佳实施例的电路图。在图12中，在反相器组1214中的反相器1201的输入端接收起始推动信号BST，在反相器1201的输出端输出一反相信号NOT。开关用PMOS 1206(也可使用NMOS)的电源端耦接至工作电压VDD，开关用PMOS 1206的控制端接地。开关用PMOS 1208的电源端耦接至开关用PMOS 1206的负载端，开关用PMOS 1208的控制端接地，而此开关用PMOS 1206、1208是操作在线性区(Linear Region)。在反相器组1214中的反相器1202的电源端耦接至开关用PMOS 1208的负载端，反相器1202的接地端接地，反相器1202的输入端接收反相器1201所输出的反相信号NOT，反相器1202的输出端输出一反相信号NOTB。在反相器组1216中的反相器1203的输入端接收反相器1202所输出的反相信号NOTB，在反相器1203的输出端输出一反相信号BSTDB。在反相器组1216中的反相器1204的输入端接收反相器1203所输出的反相信号BSTDB，在反相器1204的输出端输出一延迟起始推动信号BSTD。数个电容1210、1212的第一端并联耦接至反相器1202的输出端与反相器1203的输入端之间，电容1210、1212的第二端接地。

在图12中，电容C可以用MOS来完成电容的功能，电容C的个数取决于电压温度补偿延迟线电路1006的充放电时间的长短，若要其充放电时间愈长，则需要电容C的个数就愈多；反之，则需要电容C的个数就愈小。反相器组1214、1216可做隔离的效果，使外部的信号不会进入电容C 1210、1212充放电电路，而影响电容C1210、1212充放电的电流大小与充电时间。另外，影响此电压温度补偿延迟线电路1006的时间延迟长短，其在于工作电压VDD以及芯片的温度，因为电容C 1210、1212是由反相器1202进行充放电，而反相器1202的工作电压即为VDD，并且，开关用PMOS 1206、1208操作线性区，流经开关用PMOS 1206、1208的操作电流易受温度的影响，当芯片温度愈高时，流经开关用PMOS 1206、1208的操作电流就愈小；反之，流经开关用PMOS 1206、1208的操作电流就愈大。如此，当工作电压VDD改变或芯片温度改变时，则电容1210、1212的充放电的的电流与时间也随之改变，所以，此电压温度补偿延迟线电路1006可调整因工作电压VDD改变或芯片温度改变而改变电压推动电路374(参考图10)对电容376(参考图10)的充电时间，减少因工作电压VDD的改变或芯片温度的改变，而影响到推动电压产生器370(参考图10)的工作效能。

图13为本发明具有电压与温度补偿的推动电压产生器的另一电路方框图。在图13中，根据控制信号C0的“H”与“L”来使电压推动用PMOS 301、302、303导通或关闭，来对提高电压用的电容376与寄生电容Cy 1313充电，以决定在电位Vo的电压提高时的运作的时间区段；根据控制信号C1的“H”与“L”来使电压推动用PMOS 304、305、306导通或关闭，来对提高电压用的电容376与寄生电容Cy 1313充电，以决定在电位Vo的电压提高时之运作的时间区段；根据控制信号C2的“H”与“L”来使电压推动用PMOS 307、308、309导通或关闭，来对提高电压用的电容376与寄生电容Cy 1313充电，以决定在电位Vo的电压提高时的运作的时间区段。前述电压推动用PMOS1301～1309(即为图3中的电压推动电路374)的个数需视推动电压产生器370的充电电流大小与充电时间长短来决定，其个数并非固定不变的，而且，电压推动用PMOS也可使用NMOS。

重置用NMOS 1310(在本实施例是使用NMOS，也可使用PMOS)根据所接收的反相起始推动信号BSTB，来重置电压推动用PMOS1301～1309在电位Vo所输出的电压。反相器1312的输入端接收反相起始推动信号BSTB，在反相器1312的输出端输出起始推动信号BST。反相器1314的输入端接收起始推动信号BST，在反相器1314的输出端输出反相起始推动信号BSTB。

时间延迟电路1316将起始推动信号BST做时间延迟，以产生起始时间信号TIMEUP0B与起始时间信号TIMEUP1B，其中起始时间信号TIMEUP0B、起始时间信号TIMEUP1B与起始推动信号BST之间有不同的延迟时间。

延迟线逻辑电路1318(包含在图3中的延迟线电路372)具有补偿工作电压的变化的功能，延迟线逻辑电路318将起始推动信号BST做时间延迟与逻辑判断，以产生延迟信号DEL1与控制信号C0。延迟线逻辑电路1320(包含在图3中的延迟线电路372)也具有补偿工作电压的变化的功能，延迟线逻辑电路1320将起始推动信号BST、延迟信号DEL1与起始时间信号TIMEUP0B做时间延迟与逻辑判断，以产生延迟信号DEL2与控制信号C1。延迟线逻辑电路1322(包含在图3中的延迟线电路372)具有补偿工作电压与芯片温度的变化的功能，延迟线逻辑电路1322将起始推动信号BST、延迟信号DEL2与起始时间信号TIMEUP1B做时间延迟与逻辑判断，以产生控制信号C2。

在图13中，延迟线逻辑电路1318更包括一电压补偿延迟线电路1324、一反相器1326与一与非门1328。电压补偿延迟线电路1324将起始推动信号BST做时间延迟，以产生一延迟起始推动信号BSTD1。反相器1326的输入端接收电压补偿延迟线电路1324所输出的延迟起始推动信号BSTD1，在反相器1326的输出端输出延迟信号DEL1。与非门1328根据起始推动信号BST与延迟信号DEL1来做与非门运算，以得到控制信号C0。

在图13中，延迟线逻辑电路1320更包括一RS正反器1330、一电压补偿延迟线电路1332、一反相器1334、一或非门1336与一与非门1338。RS正反器1330的S端接收延迟信号DEL1，RS 正反器1330的R端接收起始时间信号TIMEUP0B，并根据起始时间信号TIMEUP0B与延迟信号DEL1，以产生正反器信号FF1。电压补偿延迟线电路1332将RS正反器1330所输出的正反器信号FF1做时间延迟，以产生一延迟起始推动信号BSTD2。反相器1334的输入端接收RS正反器1330所输出的正反器信号FF1，在输出端输出一反相信号FF1B。或非门1336根据电压补偿延迟线电路1332所输出的延迟起始推动信号BSTD2与反相器1334所输出的反相信号FF1B来做或非门运算，以得到延迟信号DEL2。与非门1338根据起始推动信号BST与或非门1336所输出的延迟信号DEL2来做与非门运算，以得到控制信号C1。

在图13中，延迟线逻辑电路1322更包括一RS正反器1340、一电压温度补偿延迟线电路1342、一反相器1344、一或非门1346与一与非门1348。RS正反器1340的S端接收延迟信号DEL2，RS正反器1330的R端接收起始时间信号TIMEUP1B，并根据起始时间信号TIMEUP1B与延迟信号DEL2，以产生正反器信号FF2。电压温度补偿延迟线电路1342将RS正反器1340所输出的正反器信号FF2做时间延迟，以产生一延迟起始推动信号BSTD3。反相器1344的输入端接收RS正反器1340所输出的正反器信号FF2，在输出端输出一反相信号FF2B。或非门1346根据电压温度补偿延迟线电路1342所输出的延迟起始推动信号BSTD3与反相器1344所输出的反相信号FF2B来做或非门运算，以得到延迟信号DEL3。与非门1348根据起始推动信号BST与或非门1346所输出的延迟信号DEL3来做与非门运算，以得到控制信号C2。

图14为本发明推动电压产生器中的时间延迟电路的另一较佳实施例的电路图，在图14中，时间延迟电路712中的反相器1401的输入端接收起始推动信号BST，在反相器1401的输出端输出一第一反相信号。反相器1402的输入端接收反相器1401所输出的第一反相信号，在反相器1402的输出端输出一第二反相信号。在反相器组1430中的反相器1403的输入端接收反相器1402所输出的该第一反相信号，在反相器1403的输出端输出一第三反相信号。在反相器组1430中的反相器1404的输入端接收反相器1403所输出的第三反相信号，在反相器1404的输出端输出一第四反相信号。

时间延迟电路1410的电源端耦接至工作电压VDD，时间延迟电路1410的第一信号输入端接收反相器1402所输出的第二反相信号，时间延迟电路1410的第二信号输入端接收反相器1404所输出的第四反相信号，时间延迟电路1410在做时间延迟之后，以产生时间延迟信号TD1，并由时间延迟信号输出端输出时间延迟信号TD1。时间延迟电路1412的该电源端耦接至工作电压VDD，时间延迟电路1412的第一信号输入端接收反相器1402所输出的第二反相信号，时间延迟电路1412的第二信号输入端接收时间延迟电路1410所输出的时间延迟信号TD1，时间延迟电路1412在做时间延迟之后，以产生时间延迟信号TD2，并由时间延迟信号输出端输出延迟信号TD2。

在反相器组1434中的反相器1407的输入端接收时间延迟电路1410所输出的时间延迟信号TD1，在反相器1407的输出端输出一第五反相信号。在反相器组1434中的反相器1408的输入端接收反相器1407所输出的第五反相信号，在反相器1408的输出端输出起始时间信号TIMEUP0B。在反相器组1432中的反相器1405的输入端接收时间延迟电路1412所输出的时间延迟信号TD2，在反相器1405的输出端输出一第七反相信号。在反相器组1434中的反相器1406的输入端可接收反相器1405所输出的第七反相信号，在反相器1406的输出端输出起始时间信号TIMEUP1B。

在图14中，根据起始时间信号TIMEUP0B的充放电的工作周期，可以使用与时间延迟电路1410相同的数组时间延迟电路，以对其工作周期做调整。同样地，根据起始时间信号TIMEUP1B的充放电的工作周期，可以使用与时间延迟电路1412相同的数组时间延迟电路，以对其工作周期做调整。

在图14中，时间延迟电路1410中的开关用PMOS 1414(也可使用NMOS)的电源端耦接至工作电压VDD，开关用PMOS 1414的控制端耦接至反相器1402的输出端，开关用PMOS 1414的负载端提供充电电源至RC电路1436，RC电路1436将反相器1404所送出的第四反相信号延迟一段时间后，再送出时间延迟信号TD1至反相器1407的输入端。而RC电路1436的电路型式很多，在图14中的RC电路1436为其中的一种接法，在此不多加描述。同样地，时间延迟电路1412中的开关用PMOS 1420(也可使用NMOS)的电源端耦接至工作电压VDD，开关用PMOS 1420的控制端耦接至反相器1402的输出端，开关用PMOS 1420的负载端提供充电电源至RC电路1438，RC电路1438将时间延迟电路1410所送出的时间延迟信号TD1延迟一段时间后，再送出时间延迟信号TD2至反相器1405的输入端。其中，RC电路1436、1438中的电容C可以用MOS来完成电容的功能，RC电路1436、1438中的电阻R系使用低温度系数的电阻(如Poly R)，如此在做RC充放电时，其充电的电流大小与充电时间较不受温度的影响。而且，时间延迟电路712中使用反相器组1410、1434的原因，除了使RC充放电到一定的准位切换电压后，可进行“H”与“L”的准位切换，并有隔离RC电路的效果，使外部的信号不会进入RC充放电电路，而影响RC充放电的电流大小与充电时间。

在图13中的电压补偿延迟线电路1324、1332的电路架构如图6所示，而电压补偿延迟线电路1324、1332与图6的电路架构的差异在于电压补偿延迟线电路1324、1332的输入信号与输出信号。电压补偿延迟线电路1324的输入信号为起始推动信号BST，而输出信号为延迟信号BSTDB1；电压补偿延迟线电路1332的输入信号为正反器信号FF1，而输出信号为延迟信号BSTDB2，则电压补偿延迟线电路1324、1332的电路架构与图6相同。再者，在图13中的电压温度补偿延迟线电路1342与图12的电路架构的差异在于电压温度补偿延迟线电路1342的输入信号与输出信号。电压温度补偿延迟线电路1342的输入信号为正反器信号FF2，而输出信号为延迟信号BSTDB3，则电压温度补偿延迟线电路1342的电路架构与图12相同。

图15为图13电路的控制信号时序图。在图15中，考虑此芯片在正常操作的范围的工作电压与操作温度分别为2.6V～3.7V与-40℃～85℃之间，以极端的工作电压与操作温度可定义2.6V与85℃为低转角点及3.7V与-40℃为高转角点(High Corner)。以低转角点为操作条件(工作电压为2.6V，操作温度为85℃)并参考图13做以下的说明。在时间点t1，当信号BSTB由“H”转“L”时，表示起始推动信号BST由“L”转“H”，时间延迟电路1316与延迟线逻辑电路1318开始工作。而延迟线逻辑电路1318在时间点t1也将控制信号C0由“H”转“L”，使PMOS 1301～1303导通，如此使得电位Vo的电压提高。

在时间点t2，因控制信号C0仍然在“L”的状态下，时间延迟电路13 16在经过一段延迟时间后，将起始时间信号TIMEUP0B由“H”转“L”并送至延迟线逻辑电路1320，此时，延迟线逻辑电路1318送出延迟信号DEL1为“H”至延迟线逻辑电路1320，当延迟线逻辑电路1320接收到为“L”的起始时间信号TIMEUP0B与为“H”的延迟信号DEL1时，延迟线逻辑电路1320开始工作。同样在时间点t2，控制信号C1由“H”转“L”，而使PMOS 1304～1306导通，如此使得电位Vo的电压再次提高。

在时间点t3，因控制信号C1仍然在“L”的状态下，时间延迟电路1316起始时间信号TIMEUP1B由“H”转“L”并送至延迟线逻辑电路1322，此时，延迟线逻辑电路1320送出延迟信号DEL2为“H”至延迟线逻辑电路1320，当延迟线逻辑电路1322接收到为“L”的起始时间信号TIMEUP1B与为“H”的延迟信号DEL2时，延迟线逻辑电路1322开始工作。同样在时间点t3，控制信号C2由“H”转“L”，而使PMOS 1307～1309导通，如此使得电位Vo的电压再次提高。

当推动电压产生器370将提高的电压达到所需的操作电压时，即在时间点t4，信号BSTB由“L”转“H”，即起始推动信号BST由“H”转“L”。此时，时间延迟电路1316、延迟线逻辑电路1318、延迟线逻辑电路1320与延迟线逻辑电路1322不再工作，则控制信号C0、C1与C2都为“H”。

若推动电压产生器370操作在高转角点的操作条件(工作电压为3.7V，操作温度为-40℃)下，则因为延迟线逻辑电路1318、延迟线逻辑电路1320与延迟线逻辑电路1322的内部电路的充电电流增大，将使其充电时间缩短。如图15所示，控制信号C0由“L”转“H”的时间位置由时间点t1’移至时间点t1”，此时，起始时间信号TIMEUP0B仍然在“H”的状态下，表示在电位Vo的电压已经提高到所需的操作电压，则信号BSTB在时间点t1”由“L”转“H”，而控制信号C1、控制信号C2、起始时间信号TIMEUP0B与起始时间信号TIMEUP1B将不会发生由“H”转“L”的状态。

若控制信号C0由“L”转“H”的时间位置是在时间点t2与时间点t1’之间，且起始时间信号TIMEUP0B在时间点t2由“H”转“L”，则控制信号C1也在时间点t2由”H”转”L”。当控制信号C1由”L”转”H”的时间位置由时间点t2’移至时间点t2”，此时，起始时间信号TIMEUP1B仍然在“H”的状态下，表示在电位Vo的电压已经提高到所需的操作电压，而起始时间信号TIMEUP1B仍在时间点t3由“H”转“L”，但控制信号C2会根据起始时间信号TIMEUP1B与控制信号C1的状态而决定是否要由“H”转“L”。

若控制信号C1由“L”转“H”的时间位置是在时间点t3与时间点t2’之间，且起始时间信号TIMEUP1B在时间点t3由“H”转“L”，则控制信号C2也在时间点t2由“H”转“L”。控制信号C2由“L”转“H”的时间位置由时间点t3移至时间点t3’，如此，推动电压产生器370将提高的电压达到所需的操作电压，其所花费的时间可缩短。接着，在时间点t4，信号BSTB会将状态由“L”转“H”，使NMOS 1310(参考图13)对电位Vo进行重置的工作。但一般推动电压产生器370是操作在工作电压与操作温度分别为2.6V～3.7V与-40℃～85℃之间，所以控制信号C0由“L”转“H”的时间位置是在时间点t1’移至时间点t1”之间，其它信号也同。

图16为图13的推动电压产生器的工作曲线图，并对照图15的时序图与图13的电路图加以说明。当在时间点t1时，信号BSTB由“H”转“L”，而控制信号C0也由“H”转“L”，推动电压产生器374将电位Vo由电压V1开始提高。在时间点t2，控制信号C1由“H”转“L”，推动电压产生器374将电位Vo由电压V2再次提高。在时间点t3，控制信号C2由“H”转“L”，推动电压产生器374将电位Vo由电压V3继续提高。在时间点t3’时，控制信号C0、控制信号C1与控制信号C2都为“H”，表示推动电压产生器300将提高的电压达到所需的操作电压V4。在时间点t4时，信号BSTB由“L”转“H”，使NMOS 1310导通，提高电容Cx 376与寄生电容Cy 1313开始放电，则使得电位Vo的电压从V4开始下降。

综上所述，当芯片的工作电压与温度改变时，即设计两种不同的延迟线电路，一种延迟线电路是当工作电压改变时，可随之改变延迟线电路的充电时间与电压推动用MOS导通的个数，以因应工作电压改变。另一种延迟线电路是当工作电压与温度改变时，也可随之改变延迟线电路的充电时间与电压推动用MOS导通的个数，以因应工作电压与温度改变。如此，推动电压产生器在不受工作电压与温度改变的影响，可使推动电压产生器能够确实地提高电压到所需的操作电压。再者，当芯片操作低转角点的操作条件时，仍可由推动电压产生器内部的数组延迟线电路，其调整延迟线电路的充电时间与电压推动用MOS导通的个数，使推动电压产生器仍然有很好的工作特性。