减少了延迟变动的场效应晶体管

摘要

在具有第一导电类型的沟道、源和漏区的化合物半导体层内设置减少了延迟变动的场效应晶体管。在上述的区域上分别形成栅、源和漏电极。特别是栅电极设有在与所述源和漏区的相对方向交叉的方向上延伸的伸出部分,并从沟道区伸出。在该化合物半导体层中,形成与第一导电类型相反的第二导电类型的阱区,以便比在沟道、源和漏区内更深地围住沟道区、源区和漏区以及栅电极的伸出部分。通过用第二导电类型的阱区围住包括伸出部分的栅电极,使延迟变动显著地减少。