具有受控缺陷分布的硅晶片、其制法及丘克拉斯基提拉机

摘要

提供了具有受控缺陷分布的硅晶片,其中具有离晶片表面向内足够深度的贫化区与晶片主体区内的高捕获效应相结合。在硅晶片中,充当本征捕获位的氧淀析物表现出垂直分布。从晶片顶面至底面的氧淀析物浓度分布包括:分别位于离晶片的顶面和底面第一和第二预定深度处的第一和第二峰值;在晶片的顶面和底面和每一个第一峰值与第二峰值之间的贫化区;以及在第一和第二峰值之间,对应于晶片的主体区的下凹区。对这样的氧淀析物浓度分布,在晶片加工过程的施主去除步骤中,该晶片经历了在包含氮(N2)和氩(Ar)或氮(N2)和氢(H2)的气体混合物环境中的快速热退火处理。