首页> 中国专利> 用于提高自旋阀传感器的磁致电阻的氧化镍钉扎层所用的籽晶层

用于提高自旋阀传感器的磁致电阻的氧化镍钉扎层所用的籽晶层

页面导航

摘要

底部自旋阀传感器使用用于氧化镍(NiO)反铁磁钉扎层(212)的籽晶层(201),目的是提高传感器的磁致电阻(dR/R)。自旋阀传感器可以是简单自旋阀或反平行(AP)自旋阀传感器。籽晶层是钽氧化物(TayOx)或铜(Cu)。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-01-27

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2006-05-03

授权

授权
2004-02-25

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20040107 申请日:19991126

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2002-01-02

实质审查的生效

实质审查的生效
2002-01-02

公开

公开

1. 用于提高自旋阀传感器的磁致电阻的氧化镍钉扎层所用的籽晶层 [P] . 中国专利： CN1329742A . 2002-01-02
2. 具有用于钉扎改善的各向异性被钉扎层的磁致电阻传感器 [P] . 中国专利： CN1913190A . 2007-02-14
3. SEED LAYER FOR A NICKEL OXIDE PINNING LAYER FOR INCREASING THE MAGNETORESISTANCE OF A SPIN VALVE SENSOR [P] . MY126439A . 2006-10-31

机译：用于增加自旋阀传感器磁致电阻的氧化镍钉扎层的种子层
4. SEED LAYER FOR A NICKEL OXIDE PINNING LAYER FOR INCREASING THE MAGNETORESISTANCE OF A SPIN VALVE SENSOR [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1135772B1 . 2006-10-18

机译：用于增加自旋阀传感器磁致电阻的氧化镍钉扎层的种子层
5. SEED LAYER FOR A NICKEL OXIDE PINNING LAYER FOR INCREASING THE MAGNETORESISTANCE OF A SPIN VALVE SENSOR [P] . 韩国专利： KR100469533B1 . 2005-02-02

机译：用于增加自旋阀传感器磁致电阻的氧化镍钉扎层的种子层