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带倒置MISFET结构的超导体场效应晶体管制造方法

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摘要

一种制造带有电场控制的电流沟道以及栅极、源极和漏极的场效应晶体管的方法,包括以下步骤:设置一种导电的N型(100)取向的掺铌SrTiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-02-23

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/336 授权公告日:20040211 终止日期:20100106 申请日:19911206

专利权的终止
2004-02-11

授权

授权
2000-10-11

公开

公开
2000-09-13

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效

1. 带倒置MISFET结构的超导体场效应晶体管制造方法 [P] . 中国专利： CN1269603A . 2000-10-11
2. 带倒置的MISFET结构的超导场效应晶体管 [P] . 中国专利： CN1099138C . 2003.01.15
3. Superconducting field effect transistor with inverted MISFET structure and method for manufacturing the same [P] . 韩国专利： KR920015626A . 1992-08-27

机译：具有倒置MISFET结构的超导场效应晶体管及其制造方法
4. Superconducting field-effect transistor with inverted MISFET structure and method for making the same [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0494580B1 . 2002-04-03

机译：具有反型MISFET结构的超导场效应晶体管及其制造方法
5. SUPERCONDUCTING FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH INVERTED MISFET STRUCTURE AND METHOD FOR MAKING THE SAME [P] . SG46182A1 . 1998-02-20

机译：反向MISFET结构的超导场效应晶体管及其制造方法