一种CMOS片内三维结构的形成方法

摘要

本发明公开了一种CMOS片内三维结构的形成方法，包括：在硅衬底上形成环状突起的单晶硅种子层区域；在非种子层区域形成第一层CMOS晶体管；形成第一层层间介质层，并使单晶硅种子层区域露出；在第一层层间介质层上覆盖一多晶硅层，并使两者的表面平齐；加热使多晶硅层熔融并再结晶，利用围绕多晶硅的单晶硅，使多晶硅转变为单晶硅，形成单晶硅层；在单晶硅层上形成第二层CMOS晶体管；形成第二层层间介质层；形成第一层CMOS晶体管和第二层CMOS晶体管之间的互连。本发明能够增加片内CMOS晶体管的密度，减少所需的互连长度，提高产品的性能，减少单个芯片的成本。