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公开/公告号CN111541423A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-14
原文格式PDF
申请/专利权人 清华大学;
申请/专利号CN202010336982.7
发明设计人 张雷;袁泽心;
申请日2020-04-26
分类号H03B5/04(20060101);H03B5/12(20060101);
代理机构11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人罗文群
地址 100084 北京市海淀区清华园1号
入库时间 2023-12-17 11:36:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-14
公开
机译: 包括微带安装的同轴介电谐振器的低相位噪声装置,以及在这种装置中,特别是在压控振荡器中降低相位噪声的方法
机译:利用微带三分带通滤波器设计低相位噪声振荡器和压控振荡器
机译:基于SIW的低相位噪声毫米波平面双端口压控振荡器
机译:采用双变压器技术的10 GHz低相位噪声CMOS压控振荡器
机译:具有片上LC谐振腔的2 GHz宽带低相位噪声压控振荡器
机译:CMOS技术中低相位噪声压控振荡器(VCO)的比较研究。
机译:一种用于降低低S / N数据中散粒噪声的计算高效滤波器
机译:具有高调谐线性度和低相位噪声的MMIC GaN HEMT压控振荡器
机译:一种子滤波器尺度噪声方程远混合LEs仿真