水平纳米通道阵列、微纳流控芯片及其制作方法

摘要

一种水平纳米通道阵列、微纳流控芯片及其制作方法，所述制作方法包括如下步骤：步骤1：在衬底上形成图形化的掩膜层；步骤2：以图形化的掩膜层为掩膜，对衬底进行刻蚀形成若干个扇贝状柱；步骤3：利用自限制氧化，在扇贝状柱上形成水平纳米线阵列；步骤4：对衬底的被刻蚀区域进行填充；步骤5：采用湿法腐蚀释放水平纳米线阵列，形成水平纳米通道阵列。本发明提出了一种工艺简单，与集成电路工艺相兼容且适宜批量生产的硅基水平纳米通道阵列制作方法。