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SONOS存储器件的制备方法及SONOS存储器件

摘要

本申请公开了一种SONOS存储器件的制备方法及SONOS存储器件,属于集成电路制造技术领域。通过本申请提供的制备方法制备得到的SONOS存储器件,由于两个相对设置的L型ONO层共用位线,且位于外侧的选择管栅靠近SONOS存储器件的源端,因此该SONOS存储器件可以使用源端热载流子注入进行写入,相对于相关技术中提供的SONOS存储器件采用FN隧穿方式进行写入具有更低的操作电压,从而提高了器件的可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN111403402A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN202010190075.6

  • 发明设计人 王宁;张可钢;

    申请日2020-03-18

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人黎伟

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2023-12-17 10:41:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/11568 申请日:20200318

    实质审查的生效

  • 2020-07-10

    公开

    公开

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