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公开/公告号CN111373644A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-03
原文格式PDF
申请/专利权人 德州仪器公司;
申请/专利号CN201780097059.9
发明设计人 沈亚丹;崔正昊;
申请日2017-12-25
分类号H02M7/217(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人林斯凯
地址 美国德克萨斯州
入库时间 2023-12-17 10:37:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-03
公开
机译: 负电压监控电路,用于管理由负偏置温度不稳定性引起的电压漂移
机译: 电压偏置电路,用于管理由负偏置温度不稳定性引起的电压漂移
机译:正偏置温度不稳定性中的负阈值电压漂移和掺钇的HfO_2栅介质的负偏置温度不稳定性的正阈值电压漂移的研究
机译:不同氧化物厚度的负应力电压下的负偏压温度不稳定性“恢复”
机译:HfSiON / SiO_2 n沟道MOSFET正偏压温度不稳定性期间阈值电压漂移的饱和及其对器件寿命评估的影响
机译:动态负偏压温度不稳定性的循环阈值电压漂移
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:LaAlO3 / SrTiO3异质结构中电场引起的阈值电压漂移
机译:用于CO 2 SUB> FEAL 0.5 SUP> 0.5 SUP> / N I> -GAAS肖特基隧道的温度和偏压信号的偏置电压依赖性交界处
机译:偏置电路不稳定性及其对直流电压的影响双势垒谐振隧穿二极管的电流 - 电压特性