退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN111243816A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-05
原文格式PDF
申请/专利权人 东华理工大学;
申请/专利号CN202010044904.X
发明设计人 王可;张克义;夏侯淏;凌福进;唐永明;肖小鹏;刘剑;张明智;
申请日2020-01-16
分类号
代理机构北京专赢专利代理有限公司;
代理人刘梅
地址 330013 江西省南昌市国家经济开发区广兰大道418号
入库时间 2023-12-17 10:03:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-05
公开
机译: 垂直磁化膜的前体结构,垂直磁化膜结构及其制造方法,垂直磁化隧道磁阻结膜使用相同,垂直磁化型隧道磁阻接线元件使用相同
机译: 垂直磁化膜的前驱体结构,垂直磁化膜结构及其制造方法,使用它们的垂直磁化型隧道磁阻接合膜及其制造方法,以及使用它们的垂直磁化型隧道磁阻接合元件。
机译: 相同磁化膜结构,垂直磁化膜结构,垂直MTJ元素和垂直磁记录介质的MTJ底涂
机译:使用TbCoFe / CoFeB垂直磁化膜的MRAM器件中自旋注入磁化反转的演示
机译:使用TBCOFE / CoFeB垂直磁化膜示范MRAM器件中诱导磁化反转的逆转
机译:用于磁隧道连接的CO_2FESI / MN_3GE双层膜结构中的垂直磁化耦合
机译:旋转轨道扭矩的研究与垂直磁化的确定性现场切换
机译:具有垂直各向异性的软磁材料的磁滞磁化模型的验证
机译:具有垂直各向异性的软磁材料的非磁化磁化模型的验证
机译:铁磁三维金属中的表面态,表面磁化和电子自旋极化