一种激光器芯片腔面微缺陷的损伤发展预测方法

摘要

本发明属于半导体激光器领域；激光器腔膜损伤发展的预测研究目前还比较匮乏，现阶段多是对损伤完成以后的腔膜进行观测，分析和研究，因而分析的既成损伤是随机的，并没有规律可循，无法对损伤的发展做出精准的直观的预测，本发明提供一种激光器芯片腔面微缺陷的损伤发展预测方法，根据对样本的整理分析建立缺陷几何结构建模并进行仿真，获取缺陷处光强值，再对阈值进行预测，得到带微缺陷的损伤阈值损伤阈值，由能量传递原理对缺陷的损伤发展进行迭代预测分析，以直观的方式显示了缺陷带来的电磁场的变化。对激光器芯片的生产加工以及应用具有重要意义。