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公开/公告号CN111321456A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-23
原文格式PDF
申请/专利权人 AXT公司;
申请/专利号CN201911284634.3
发明设计人 拉贾拉姆·谢蒂;刘卫国;杨盛世;
申请日2019-12-13
分类号
代理机构北京北翔知识产权代理有限公司;
代理人刘文静
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 09:21:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-23
公开
机译: 低蚀刻坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片
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