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通过掺杂自旋转移扭矩(STT)磁阻式随机存取存储器(MRAM)的氧化盖层的高热稳定性

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公开一种磁穿隧结(MTJ)，其中自由层(FL)与金属氧化物(Mox)层和隧道位障层相接以产生界面垂直磁异向性(PMA)。金属氧化物层具有非化学计量的氧化态以使寄生电阻降至最低，并包含掺质以填充空的晶格位置，藉此阻挡氧扩散通过金属氧化物层，以在工艺温度高达400℃的情况下保持界面垂直磁异向性和高热稳定性。形成掺杂的金属氧化物层的各种方法包含在气体形式的掺质和O

著录项

公开/公告号CN111108618A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-05

原文格式PDF
申请/专利权人台湾积体电路制造股份有限公司;
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申请/专利号CN201880061129.X
发明设计人真杰诺;裘地·玛丽·艾维塔;童儒颖;刘焕龙;李元仁;朱健;
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申请日2018-10-09
分类号
代理机构隆天知识产权代理有限公司;
代理人张福根
地址中国台湾新竹市
入库时间 2023-12-17 08:30:07

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-29

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/08 申请日:20181009

实质审查的生效
2020-05-05

公开

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