法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-05
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/40 申请日:20200120
实质审查的生效
2020-05-12
公开
公开
机译: 利用光辐照制造单晶硅薄膜的方法,该方法能够获得大面积的单晶硅薄膜
机译: 在基体上形成大面积,单晶,单层六方氮化硼薄膜的方法以及由此制备的六方氮化硼薄膜层压的方法
机译: 能够发出远紫外线高亮度的高度纯化的六方氮化硼单晶,包括该单晶的制造该远紫外线高亮度发光器件的方法,并利用该器件,固体激光器和固体发光单元