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公开/公告号CN111215115A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-02
原文格式PDF
申请/专利权人 中南民族大学;
申请/专利号CN202010080991.4
发明设计人 吕康乐;杨超;张苏舒;黄仪;李覃;丁耀彬;雷鸣;王成俊;孙杰;叶恒朋;
申请日2020-02-05
分类号
代理机构武汉宇晨专利事务所;
代理人余晓雪
地址 430074 湖北省武汉市洪山区民族大道182号
入库时间 2023-12-17 08:30:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-26
实质审查的生效 IPC(主分类):B01J27/24 申请日:20200205
实质审查的生效
2020-06-02
公开
机译: 用硫酸钙二维碳化钛制备纳米片的方法
机译: 磺化二维碳化钛纳米片的制备方法
机译:石墨氮化碳纳米片和二氧化钛纳米片的Z轴二维/二维异质结的增强的光催化性能
机译:碳化钛(211最大相)的剥离形成纳米纤维和二维纳米片及其在水相镉螯合中的应用
机译:二维定向附着的超薄单晶WO3纳米片,在可见光下可增强将CO2光催化还原为烃类燃料的能力
机译:用无定形金属氢氧化物作为前驱体的纳米晶Znga2O4的制备及其在CO2光催化还原反应中的应用
机译:硅/硅(1-y)碳(y)和硅/硅(1-x-y)锗(x)碳(y)异质结构的能带工程及其在PNP异质结双极晶体管(碳化硅,碳化硅锗)中的应用。
机译:压电二维纳米片/阴离子层异质结可有效产生直流电
机译:氧化石墨烯和氧化钛纳米片的异质整合:积累,光催化还原,电性能
机译:用于密度泛函理论(DFT)的单位晶胞的计算方法计算二维纳米片的异质结构的电子能带结构。