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一种使污染物远离硅片表面微纳米结构的方法

摘要

本发明涉及一种容易实现,节省成本和时间的使污染物远离硅片表面微纳米结构的方法,本发明不需要完全除去光刻胶,但是能够使光刻胶污染物远离微纳米结构从而达到不影响微纳米结构性能的目的,即不影响相关器件的性能。本发明能够极大降低微纳米加工过程中产生光刻胶污染的影响,从而节省成本和时间。

著录项

  • 公开/公告号CN111186812A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江精筑环保科技有限公司;

    申请/专利号CN201910627186.6

  • 发明设计人 何志伟;王建均;梁立军;

    申请日2019-07-11

  • 分类号

  • 代理机构杭州杭诚专利事务所有限公司;

  • 代理人尉伟敏

  • 地址 312300 浙江省绍兴市上虞区曹娥街道越秀中路273号

  • 入库时间 2023-12-17 07:51:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20190711

    实质审查的生效

  • 2020-05-22

    公开

    公开

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