单根ZnO微米线异质结基近红外发光二极管及制备方法

摘要

本发明公开了一种单根ZnO微米线异质结基近红外发光二极管及其制备方法，所述发光二极管包括p‑GaAs衬底，在p‑GaAs衬底一侧设有金属Ni/Au电极，构成发光二极管的阳极；在p‑GaAs衬底上还设有单根n‑ZnO:Ga微米线，在单根n‑ZnO:Ga微米线的一端表面设有Ag电极，构成发光二极管的阴极。本发明通过构筑n‑ZnO:Ga/p‑GaAs异质结结构，在正向偏压下，实现了近红外发光二极管，促进了LED在红外光源领域的应用。