首页> 中国专利> 一种基于物理气相沉积的P型与N型有机半导体共晶材料及制备方法

一种基于物理气相沉积的P型与N型有机半导体共晶材料及制备方法

摘要

本发明公开了一种物理气相沉积P型与N型共晶有机半导体材料及其制备方法,获得具有独特和优异光电特性的有机半导体共晶材料,发明还涉及制备这类有机半导体共晶材料的制备方法。本发明还公开一种F

著录项

  • 公开/公告号CN111087404A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昆明学院;

    申请/专利号CN201911393227.6

  • 申请日2019-12-30

  • 分类号

  • 代理机构昆明知道专利事务所(特殊普通合伙企业);

  • 代理人姜开侠

  • 地址 650214 云南省昆明市经济技术开发区浦新路2号

  • 入库时间 2023-12-17 07:51:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):C07D487/22 申请日:20191230

    实质审查的生效

  • 2020-05-01

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号