公开/公告号CN110912133A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-03-24
原文格式PDF
申请/专利权人 中国船舶重工集团公司第七一九研究所;
申请/专利号CN201911201017.2
发明设计人 彭新;欧阳晖;张高明;刘尚伟;柳明;方芸;林莉;雷阳;杜红彪;许磊;杨辉;谢炜;陈涛;魏华;罗伟;耿攀;徐正喜;蔡凯;吴浩伟;李锐;李鹏;李小谦;姜波;李可维;邢贺鹏;金惠峰;李兴东;吴大立;
申请日2019-11-29
分类号
代理机构北京律谱知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人黄云铎
地址 430205 湖北省武汉市江夏区藏龙岛开发区杨桥湖大道19号
入库时间 2023-12-17 07:38:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H02J3/01 申请日:20191129
实质审查的生效
2020-03-24
公开
公开
机译: 制造SiC晶体以减少基体和SiC晶体,SiC单晶膜,SiC半导体元件,SiC单晶体基体和电子器件中的微管传播的方法以及制造SiC球体的方法
机译: sic的enkristall,生产sic的sic,sic的方法-带外延层的记录,制造具有外延层的sic盘的方法以及基于sic的电子设备
机译: sic的enkristall,生产sic的sic,sic的方法-带外延层的记录,制造具有外延层的sic盘的方法以及基于sic的电子设备