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集成电路封装和形成有穿塑孔晶圆级芯片尺寸封装的方法

摘要

一种形成晶圆级芯片尺寸封装的方法,首先提供集成电路晶圆,再将介电材料施加到集成电路晶圆的表面,在介电材料上形成重分布导电层,以与集成电路的输入/输出触点接触。再将聚合物基膜施加到集成电路晶圆的表面上,并进行压缩模塑制程。将对准标记设置在集成电路晶圆的边缘上,再实施激光烧蚀制程,以在固化的热固性塑料中制备穿塑孔(TMV)。将焊球或铜柱的输入/输出连接器设置在穿塑孔(TMV)中。进行回流制程,以将输入/输出连接器连接到重分布导电层的接垫表面。

著录项

  • 公开/公告号CN110911359A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-03-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 代罗半导体有限公司;

    申请/专利号CN201811526099.3

  • 申请日2018-12-13

  • 分类号

  • 代理机构北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人孙皓晨

  • 地址 英国伦敦圣西泽琳道塔桥屋

  • 入库时间 2023-12-17 07:30:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-24

    公开

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