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一种用于3D深度获取设备的VCSEL阵列及该3D深度获取设备

摘要

本发明公开了一种用于3D深度获取设备的VCSEL阵列,包括发光组件和半导体基底,所述发光组件分布在所述半导体基底的表面;所述发光组件包括至少两组发光单元组,其中每组所述发光单元组包括多个相互导通的发光单元,各组所述发光单元组按照各自相对应的图案相互交错地分布在所述半导体基底上,且由各组所述发光单元组对应的图案组成的所述发光组件对应的图案是不规则图案;所述3D深度获取设备上设有至少两组导线,各组所述导线分别连接并用于驱动各组所述发光单元组。本发明还公开了该VCSEL阵列的加工方法以及该3D深度获取设备。本发明能够在具体的3D应用中获取的深度精度与能耗之间取得很好的平衡。

著录项

  • 公开/公告号CN110707530A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-01-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市安思疆科技有限公司;

    申请/专利号CN201810753610.7

  • 发明设计人 蒋建华;

    申请日2018-07-10

  • 分类号

  • 代理机构深圳新创友知识产权代理有限公司;

  • 代理人方艳平

  • 地址 518129 广东省深圳市南山区西丽街道清华信息港科研楼107-A12

  • 入库时间 2023-12-17 07:00:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/183 申请日:20180710

    实质审查的生效

  • 2020-01-17

    公开

    公开

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