一种在蓝宝石模板上生长图形化GaN的方法及一种GaN外延片

摘要

本发明涉及半导体外延生长及器件工艺技术领域，提供了一种在蓝宝石模板上生长图形化GaN的方法及一种GaN外延片，本发明首先在蓝宝石衬底表面依次生长AlN成核层和SiO2介质层，然后按照预定的图案对SiO2介质层进行刻蚀，刻蚀区域的AlN成核层暴露出来，形成生长窗口区，在生长窗口区进行GaN的二次外延生长，即形成图形化GaN层。本发明利用SiO2介质层作为GaN外延生长过程中的掩膜，最终GaN材料主要在生长窗口位置成核生长，形成所需的特定图形的GaN。本发明提供的方法无需对GaN层进行刻蚀，图形化生长GaN后所得器件的台面和侧壁光滑、边缘平整、无刻蚀损伤，避免了因刻蚀损伤造成的器件性能下降。