原子探针断层分析样品的制备方法

摘要

本揭示案的实施例涉及原子探针断层分析(APT)样品的制备方法。将半导体装置中的一结构识别为包括用于APT程序的测试物件。在将获取APT样品的结构中识别靶区域。对靶区域进行分析，以判断其内是否存在问题元件特征。问题元件可包括难以蒸发的材料、中空区域、相对于测试物件不可识别的材料、或对APT分析造成问题的其他结构特征。若判定问题元件存在于靶区域中，则在制备APT样品之前，将问题元件替换为更适合的材料。