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公开/公告号CN110753991A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-04
原文格式PDF
申请/专利权人 国际商业机器公司;
申请/专利号CN201880035797.5
发明设计人 K·W·布瑞维;D·纽恩斯;T·S·格尔绍恩;T·K·托多拉夫;G·J·马尔蒂纳;金世榮;
申请日2018-06-14
分类号H01L21/00(20060101);
代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人边海梅
地址 美国纽约
入库时间 2023-12-17 06:51:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-28
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/00 申请日:20180614
实质审查的生效
2020-02-04
公开
机译: 基于亚稳态两相间可逆嵌入离子转移的忆阻器件
机译: 忆阻器件基于两个亚稳相之间嵌入离子的可逆转移
机译: 基于两个亚稳态阶段和操作程序之间的嵌段离子的可逆转移的椎体分量
机译:基于AlOxNy薄膜的可逆双极WORM器件,其中嵌入了Al纳米相
机译:相干应变的BiFeO_3与(LaAIO_3)_(0.3)(Sr_2AITaO_6)_(0.7)(0.7)上的亚稳态伪四方相之间可逆转变
机译:阴离子与HAT(CN)_6之间相互作用的不同性质:从可逆阴离子π络合物到不可逆电子转移过程(HAT(CN)_6 = 1,4,5,8,9,12-六氮杂三苯并]
机译:热诱导水和离子液体之间的毛发颗粒的可逆转移
机译:TRIPLET(2S)亚稳态和基态氦原子之间以及氦离子与TRIPLET-2S和SINGLET-2S亚稳态之间的弹性和非弹性散射。
机译:在同一阱中具有两个类似离子的亚稳态转移光谱
机译:氦离子与亚稳态氖之间的电荷转移。