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一种超临界处理制备铱/氧化铱pH电极的方法

摘要

本发明公开了一种超临界处理制备铱/氧化铱pH电极的方法,该方法通过热氧化制备铱/氧化铱pH电极,并在300℃~400℃、30~40MPa的超临界环境下处理3~5小时。经过超临界处理后的电极具有灵敏度高、响应快、重现性好、滞后性小、高稳定等优点。有效地改善了长期以来铱/氧化铱pH电极所存在的水化时间久、效率低、稳定性差、脱膜等问题。经本发明改进的电极不仅可以在常温条件下很好的运用,在超临界、热液口等高温条件下也能保持其稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN110887879A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-03-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华东师范大学;

    申请/专利号CN201911212954.8

  • 申请日2019-12-02

  • 分类号

  • 代理机构上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人徐筱梅

  • 地址 200241 上海市闵行区东川路500号

  • 入库时间 2023-12-17 06:34:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/30 申请日:20191202

    实质审查的生效

  • 2020-03-17

    公开

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