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等离子体鞘套3D-FDTD建模中总场/散射场平面波源产生方法

摘要

本发明属于电磁场数值计算技术领域,公开了一种等离子体鞘套3D‑FDTD建模中总场/散射场平面波源产生方法,包括:建立分层等离子体鞘套三维总场/散射(TF/SF)几何模型;构建2‑D辅助传播算子,推导2‑D辅助传播算子的FDTD公式以及2‑D辅助传播算子的UPML‑FDTD公式,分析2‑D辅助传播算子的稳定性和色散性;求取TF/SF边界处的平面波场值,对TF/SF边界处的平面波场值进行校正。本发明通过构建三维TF/SF边界上的2‑D辅助传播算子,对TF/SF边界处的平面波场值进行计算,将平面波引入到仿真区域,模拟平面波在等离子体鞘套层中的传播以及研究等离子体非均匀结构对平面波的散射作用。

著录项

  • 公开/公告号CN110837688A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN201910944401.5

  • 申请日2019-09-30

  • 分类号

  • 代理机构西安长和专利代理有限公司;

  • 代理人李霞

  • 地址 710071 陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学

  • 入库时间 2023-12-17 06:30:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F30/20 申请日:20190930

    实质审查的生效

  • 2020-02-25

    公开

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